呈现正电：MOS管P型半导体中的多数载流子为空穴

呈现负电：MOS管N型半导体中的多数载流子为电子

 

PN节构成：当P型半导体和N型半导体吻合在一起时

多数载流子的扩散运动使得空穴从P型半导体流向N型半导体，使得电子从N型半导体流向P型半导体。进而在接触面附近形成空间电荷区，此区域内少子占优，如下图所示：

 

 

空间电荷区产生的电场力方向：

从N型半导体指向P型半导体，电场力作用产生少数载流子漂移，让空穴从N区向P区漂移，电子从P区向N区漂移。

PN节形成：多子扩散运动与空间电荷区电场力构成的少子漂移运动方向相反，二者动态平衡，即形成。

PN节漏电流：中间的空间电荷区阻碍P区和N区之间的电流运动，动态平衡时的电流即。

 

加正向电压到PN节

多子扩散运动占据优势，空间电荷区变窄，直至为0，此时PN节导通；

 

加反向电压到PN节

少子漂移运动占据优势，空间电荷区变宽。

节型MOS场效应管特点：

DS原本是导通，加反向电压在GS间，空间电荷区增宽，让DS间处于预夹断和完全夹断，通过DS的电流大小与DS间的电压无关，保持恒定。