WLL工艺

PMOS衬底相同，即N-WELL
衬底与源极无法直接

原因：若通过衬底短接，影响PMOS其他特性，PMOS的衬底只接VDD高电位。

 

WELL工艺
NMOS管P衬底独立，衬底与源极相接，可减小衬偏效应。

工艺表现：元件衬底接触点

如，PMOS元件在工艺上剖面图

如下所示

PMOS的衬底电位的接触点，CMOS工艺PMOS器件是做在Nwell里，PMOS的衬底guard ring使用的是NWring.

 

接法

在schematic原理图中搭建电路时，所有pmos的衬底需要接VDD，所有nmos的衬底需要接VSS

在layout版图中

VDD供电时，选择的通孔类型的M1_NW

原因：PMOS器件做在N阱中。

相对应，VSS供电选择的通孔类型为M1_SUB