英飞凌infineon OptiMOS™6 80V MOSFET在领先的AI服务器平台上树立了DC-DC功率转换效率的新标杆

随着图形处理单元（GPU）的性能不断提高，电路板级别的功耗要求也在提高。中间总线转换器（IBC）——例如将48V输入电压转换为较低的总线电压——对于人工智能数据中心的能源效率、功率密度和热性能变得越来越重要。

英飞凌infineon宣布，其采用紧凑型5x6 mm²双面冷却（DSC）封装的OptiMOS™6 80V功率MOSFET已集成到一家领先处理器制造商的AI服务器平台的IBC阶段。应用测试表明，与以前使用的解决方案相比，效率提高了约0.4%，相当于每千瓦负载节省了约4.3瓦。

在系统级别，当跨服务器机架或整个数据中心扩展时，这可以显著节省能源。例如，在一个假设的拥有2000个机架的超大规模数据中心中进行扩展，每小时可节省超过1.2兆瓦时的能源，相当于为25辆小型电动汽车充电所需的能源。这一发展的影响是巨大的，为数据中心运营商节省了成本并减少了碳足迹。
 

随着对人工智能计算的需求不断增长，对高效电源管理解决方案的需求也将增加。英飞凌infineon的OptiMOS 6 80V能够很好地满足日益增长的能效需求，为AI服务器IBC提供高性能解决方案。英飞凌的OptiMOS 6 80V MOSFET采用5x6 mm²DSC封装，在硬开关拓扑中提供了优化的开关性能，并且由于较低的传导损耗而具有高能效。此外，紧凑的封装实现了两侧的冷却，这有助于改善热管理和提高功率密度，这在空间有限的AI服务器环境中都至关重要。

 

OptiMOS 6 80V是英飞凌广泛的硅功率MOSFET产品组合的一部分，旨在满足人工智能服务器应用对性能、效率和集成日益增长的需求。该产品组合利用了最新的MOSFET技术，并提供了各种特定应用的变体，针对不同的冷却概念和系统要求进行了优化。英飞凌硅功率MOSFET符合最高的质量和保护标准，可确保产品可靠性、可靠的系统正常运行时间和经过验证的电源稳定性。

作为电力系统的领导者，英飞凌掌握了所有三种相关的半导体材料，在硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）方面拥有广泛的产品组合。

英飞凌infineon的OptiMOS 6 80V MOSFET采用5x6 mm²DSC封装，在硬开关拓扑中提供了优化的开关性能，并且由于较低的传导损耗而具有高能效。