电路

VUSB：外部USB供电

VBAT：锂电池供电

Q1：PMOS场效应管

D1：二极管

R1：电阻

外部电源供电，锂电池供电关断

外部供电断开，由锂电池供电

 

VUSB进行5V供电时

PMOS场效应管G端=5V

管子不导通，电压经过D1直达VCC

VUSB断开，PMOS场效应管G端的电压=5V

R1下拉到GND，PMOS导通，VCC由VBAT供电

 

注意：在MOS管未导通前，电压S端 > G端，MOS管会导通，导通后管子寄生二极管短路，并不再起作用。

 

0压降实现主副电源自动切换

前面电路加了D1二极管，很难实现0压降

原因：D1压降最小也需要0.3V。

 

用MOS场效应管低导通RDS（on）特性提高电路效率

如下所示

 

用3个MOS场效应管作设计电路

VIN=3.3V，Q1的NMOS导通，接着拉低Q3 PMOS栅极， Q3开始导通。

Q2 MOS的G-S间电压等于Q3 PMOS的导通压降，大概为几十mV

 

Q2 MOS管关闭，VIN2断开，VOUT由VIN1进行供电，此时VOUT=3.3V

VIN1 ：主电源

VIN2 ：外部电源

 

电路静态功耗I1+I2 = 20uA

VIN1 断开，Q1 NMOS截止，Q2 PMOS的栅极通过R1下拉，Q2导通；

Q3 PMOS的栅极通过R2上拉，Q3截止。

此时Q1和Q3截止，VOUT由VIN2供电3.3V，

电路的静态功耗I1+I2 = 20uA不存在

注意：电路3个MOS管低导通电阻与低压特性