英飞凌infineon CoolMOS™8超结MOSFET为LITEON服务器应用中的优化系统性能设定了新标准
英飞凌infineon向电源管理解决方案的领导者LITEON提供其600 V CoolMOS™8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，以在服务器应用中实现卓越的效率和可靠性。600V CoolMOS 8提供了一种一体化解决方案，改进了LITEON的新一代技术，适用于现有和即将推出的服务器应用程序设计。

英飞凌infineon最新的600 V CoolMOS 8在高压超结MOSFET技术方面处于领先地位，为全球范围内的技术和性价比树立了标准。该技术提高了系统的整体性能，同时在减少各种应用中的碳排放方面也发挥着至关重要的作用，包括充电器和适配器、太阳能和储能系统、电动汽车充电基础设施和不间断电源（UPS）。

600 V CoolMOS 8 SJ旨在提供高效率和可靠性，这与LITEON和英飞凌致力于提高服务器应用程序的性能和总体拥有成本的承诺完全一致。此外，the。XT互连技术是CoolMOS 8的一个关键特性，使新一代非常适合传统和人工智能服务器。先进的互连技术提供了行业领先的散热能力，并通过降低寄生电感和电阻来提高电气性能。与之前的MOSFET型号相比，CoolMOS 8 SJ MOSFET的栅极电荷降低了18%，关断时间也是市场上最快的。它们的热性能提高了14%至42%

英飞凌电源系统主管Richard Kuncic表示：我们的CoolMOS 8 SJ MOSFET实现了一流的功率密度和效率，这对高性能服务器应用至关重要，CoolMOS 8产品系列提供的一体化解决方案简化了我们的产品组合，使选择过程更容易，同时减少了设计工作量。

LITEON云基础设施平台与解决方案SBG总经理John Chang表示：LITEON很高兴在我们的下一代服务器设计中利用英飞凌的CoolMOS 8系列，600 V CoolMOS 8 SJ的卓越效率和可靠性突显了我们为客户提供尖端技术和节能解决方案的承诺。

600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列是一种“全集成MOSFET”技术，适用于工业和消费应用。得益于其集成的快体二极管，它可以在目标市场的所有主要拓扑结构中使用一个MOSFET系列。它实现了具有成本吸引力的硅基解决方案，增强了英飞凌的高压宽带隙（WBG）产品。MOSFET有SMD-QDPAK、TOLL和ThinTOLL-8x8封装。

600 V CoolMOS 8 SJ旨在提供高效率和可靠性，这与LITEON和英飞凌infineon致力于提高服务器应用程序的性能和总体拥有成本的承诺完全一致。