时间:2025/5/7 阅读:7 关键词:MOS场效应管
PMOS场效应管工作原理中每个元器件作用图解
控制信号PWR_EN=高
三极管Q1导通
R2下端等于接GND
因R1和R2的分压作用
MOS管M1的Vgs会有压差
Vgs=-Vin*R1/(R 1+R2)
即M1最终:会导通
当控制信号PWR_EN=低
三极管Q1不导通
R2下端相当于悬空
则,MOS场效应管工 M1的栅极会被R1拉到和输入电压Vin一样
即Vgs=0
M1最终状态会:不导通
通过控制PWR_EN的高低
即控制PMOS场效应管工 M1的导通和关断
上一篇:英飞凌CoolMOS™8超结MOSFET为优化系统性能设定新标准-竟业电子
下一篇:英飞凌OptiMOS™6 80V MOSFET用5x6 mm²DSC封装-竟业电子
服务热线
0755-83212595
销售