实现旁路功能的常用方法是使用 P-N 结二极管或肖特基二极管，如下图，此方案低成本，易使用，可根据所选二极管实现非常高的反向电压。

此方案劣势：

例如高正向压降0.5V 至1V，会导致更高的功率耗散并需要更大的印刷电路板，为了克服旁路二极管解决方案的缺点，可以选择使用压降更低且功率损耗更低得益于低 RDS(on)的N沟道MOS场效应管。

 

 

劣势：

MOS场效应管 不是一种独立的解决方案，它需要在控制电路，通常是带有分立式 MOSFET 驱动器电路的微控制器 (MCU)）的作用下用作开关。

MCU 需要由PV 电路板供电，如果PV电路板严重损坏或完全被阴影或遮蔽物覆盖，则 MCU 将无法工作，并且 MOSFET 无法导通。

 

在MCU出现故障的情况下，MOS场效应管无法导通，旁路路径会通过 MOS场效应管的体二极管。但 MOSFET 的体二极管无法承受大电流，并且会因热量累积而产生高温，造成火灾风险。