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- 直接驱动中如何避免Si MOS场效应管反向恢复-竟业电子
- 直接驱动可以克服上面列出级联电路的一些缺点。
如下图所示
TI LMG3422R030直接驱动GaN产品的功能框图，该产品使用与GaN HEMT共封装的硅控制芯片。
智能栅极控制可避免Si MOS场效应管反向恢复、低电感驱动器/HEMT封装集成以及集成保护电路和电压变化率控制，从而实现更高的闭环性能。
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- MOS场效应管应用于直流变换器-MOS场效应管知识-竟业电子
- 变压器工作在非饱和方式，是通过 MOS场效应管的栅极反馈电压呈弧形变化，靠降低栅压来使MOS场效应管翻转的。
接通输入电源时，通过电阻R1和R2给VT1和VT2加上栅偏压，由于MOSFET导通时栅极电压UTH(阈值电压)的不均匀性，因此UTH低者首先导通。
假设VTI首先导通，接在变压器初级线圈两端的电容C1和初级线圈2×Np之间有LC形成的共振电流流动。
该电流给另一只MOSFET管子VT2的漏一源极之间加上共振电压。 由于此共振电压在栅极反馈线圈Nf下降，因此不久便达到0V。
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- MOS场效应管共振式直流一直流变换器电路-竟业电子
- 一个MOS场效应管共振式直流一直流变换器电路
洛埃耶电路是通过变压器磁饱和使三极管翻转而工作
变压器工作在非饱和方式
通过 MOS场效应管的栅极反馈电压呈弧形变化，靠降低栅压来使MOS场效应管翻转的。
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- 数字电源驱动器和 MOS场效应管选择-竟业电子
- 数字电源驱动器和 MOS场效应管选择
在大多数多相转换器中，每个相位都设计为将峰值电流限制在 40A 左右。行业内的创新导致解决方案能够处理显着更高的峰值电流
MP86957等器件可提供高达 70A 的连续电流
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- MOS场效应管配置为双向时的应用-竟业电子
- MOS场效应管应用于开关和同步整流器
它可以配置为双向
如下图所示
桥式布局中MOS场效应管
用作双向功率转换器
双向电池充电器/逆变器的示意图
左右对称性明显
能量流方向由 MOS场效应管 驱动装置控制
功率因数校正级是一个典型“无桥图腾柱”类型
它在中等功率或更高交错功率水平下最佳
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- MOS场效应管电路应用于电源反向电压保护-竟业电子
- 此2种电路，MOS场效应管 是池电压为正时导通，电池电压反转时则断开连接。MOSFET 的物理“漏极”变成了电源，它在 PMOS 版本中是较高的电位，而在 NMOS 版本中则是较低的电位。
因MOS场效应管在三极管区域中是电对称，它们在两个方向上即可传导电流，晶体管必须具有高于电池电压的最大 VGS 和 VDS 额定值。
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