直接驱动可以克服上面列出级联电路的一些缺点。

如下图所示

TI LMG3422R030直接驱动GaN产品的功能框图，该产品使用与GaN HEMT共封装的硅控制芯片。

智能栅极控制可避免Si MOS场效应管反向恢复、低电感驱动器/HEMT封装集成以及集成保护电路和电压变化率控制，从而实现更高的闭环性能。