一个MOS管

若：把GS间的电压，从0拉到，管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。

若：MOS管的GS电压，从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。

因此，在更短时间内把GS电压拉高或者拉低，即要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。

如，PWM芯片输出直接驱动MOS管，或者三极管放大后再驱动MOS管。

实际，在瞬间驱动电流，是有缺陷的。

解决方案

用专用的MOS场效应管驱动芯片

如，TC4420来驱动MOS管，它的优势在于，它有有很大的瞬间输出电流，并兼容TTL电平输入。

此MOS场效应管驱动芯片内部结构：