在电池充电器的反向电压保护中，处理电源电压反转，用MOS场效应管电路。

负载侧电路

用此方法比使用二极管更有优势

原因：电源 (电池) 电压增强了 MOSFET，产生更少的压降和实质上更高的电导。

此电路用NMOS优于 PMOS

原因：分立式 NMOS 晶体管导电率更高，成本低。

 

此2种电路，MOS场效应管 是池电压为正时导通，电池电压反转时则断开连接。MOSFET 的物理“漏极”变成了电源，它在 PMOS 版本中是较高的电位，而在 NMOS 版本中则是较低的电位。

因MOS场效应管在三极管区域中是电对称，它们在两个方向上即可传导电流，晶体管必须具有高于电池电压的最大 VGS 和 VDS 额定值。

 

此法仅对负载侧电路有效，无法配合能够给电池充电的电路工作。

电池充电器将产生电源，重新启用 MOSFET 并重新建立至反向电池的连接。

如下图所示

一个电池充电器的负载侧保护电路，用NMOS，图中电路电池处于故障状态。

 

当电池接入时，电池充电器处于闲置状态，负载和电池充电器与反向电池安全去耦。然而，如果充电器变至运行状态，如：附联了输入电源连接器，则充电器在 NMOS 的栅极和源极之间产生一个电压，这增强NMOS，从而实现电流传导。

如下图所示

传统的反向电池保护方案，对电池充电器电路无效

 

保护作用的MOS场效应管 ，在负载和充电器虽与反向电压隔离中，有一个劣势：功耗过高

电池充电器变成了一个电池放电器

当电池充电器为 MOSFET 提供了足够的栅极支持以吸收由充电器输送的电流时，该电路将达到平衡。