1.拿出电子元器件手册，不要超过任何的手册上的参数限额； 2.检查电子元器件未接入的输入端都接VDD，VSS； 3.有CMOS管，NMOS管集成电路印刷电路板，不能用一般塑料包装，储存和运输用抗静电材料做成容器，输入端及输出端串联一个电阻，以限制电路板移动与静电材料接触产生静电高压损害；CMOS管，NMOS管集成电路应放接地工作台，操作人员手腕戴导电带；5.静电材料不可接触CMOS管，NMOS管集成电路；

H桥是指电路的形状像H，是4个三极管组成H的4个垂直边，H横杠是电机,MOS管H桥驱动电路原理 H桥是直流电机控制电路，电机驱动是用N沟道MOS管构建H桥驱动电路， 电机要运转，对角线上一对三极管开关导通，三极管导通情况，电流从左—右或从右—左流过电机，从不同电流方向控制电机正反转向。

电流选择 电机驱动瞬间电流 > 额定电流+5~8A 选择 MOS管漏极最大电流  > 电机额定电流*10 如电机：额定功率=0.5A  选择MOS管漏极最大电流 > 5A 选择MOS管时注意：应该选择内阻小的MOS管 原因：内阻小，压降小，MOS管功耗小，发热量小；电压选择 工作电压：  MOS管 > 电机*2 MOS管驱动电压选择 MOS管导通驱动电压=3V~10V   VGS电压=6V~10V  MOS管达到饱和 如：3.3V电压驱动，MOS管导通，因内阻大，MOS管未达到饱和，MOS管内耗大，发热量大导致MOS管烧坏；

MOS管拆装注意事项 1.MOS管是小型玻璃管，容夹裂； 2.风枪温度320度，风速1档； 3.不能碰到边上的电子元器件； 4.带胶芯片不能碰到； 5.中风枪吹时不能停留过久； 6.刀片：撬MOS管时要锋利，把刀片放在MOS管下面，用手指往上带一点力度，此时风枪对着吹不要停，锡融化MOS管会脱落； 7.MOS管有脚位，第一脚背面小点，拆下要看方向，如：没找到，找板或图纸，位号图对比； 8.焊接MOS管：焊盘放少量焊油，用镊子夹住MOS管到主板上，摆好方向，风枪温度320度，风速1档，对MOS管吹焊时间在15秒，待锡珠融化用镊子轻轻触碰，MOS管会自动复位，就说明已经焊好； 9.主板冷却，用洗板水清洗主板；

三极管特点： 1.全称半导体三极管，也称双极型晶体管及晶体三极管； 2.是控制电流半导体电子元器件； 3.作用：把微弱信号放大成幅度值较大电信号，也作无触点开关； 4.电流放大作用； 5.电子电路中核心电子元器件；三极管工作三个区：截止区+放大区+饱和区 截止区：Ube＜ 死区电压=0.3V~0.6V，Ib=0； 放大区：发射结正偏+集电结反偏，Ic=βIb （β放大倍数）； 饱和区：发射结正偏+集电结正偏，Uce＜Ube，βib＞ic，Uce≈0.3V；

MOSFET漏极与源极间有个寄生二极管（体二极管），它在驱动感性负载，如：马达，非常重要。 此寄生二极管只在单个MOSFET中存在，集成电路芯片内部并没有。 MOSFET构造如下图所示：（栅极保护用二极管并没有画出） MOSFET三个管脚间寄生电容因制造工艺限制而产生，无法避免（图右边）；MOSFET驱动设计注意事项 MOSFET导通不需电流，但需要速度，看MOSFET结构图，GS，GD间有寄生电容， 驱动实际是：对此电容充放电； 对电容充电瞬间：即可看作电容短路，此时瞬间电流很大； MOSFET驱动设计注意： 1.供瞬间短路电流最大值； 2.选择适合外接电容，得到足够短路电流驱动MOSFET； 原因：高端驱动NMOS，导通需 栅极电压 > 源极电压，导通时，源极电压=漏极电压VCC，

为何要有保护电路 磷酸铁锂电池特性：在磷酸铁锂制备时的烧结过程中，氧化铁在高温还原性气氛下存在被还原成单质铁的可能性，单质铁会引起电池的微短路； 应用中需对它放电过程保护，以免过充过放或过热； MOS管在锂电池保护电路中应用注意事项 1.短路保护时间不能太短 保户电路在应用中，防止瞬态过载使短路保护电路误动作，此电路要有一定延时， 电流检测电阻误差+电流检测信号+系统响应的延时， 短路保护时间设置200μS-1000μS，此时要求MOS管在短路高电流，此时间内安全工作;

英飞凌infineon 250V OptiMOS™ 产品是性能领先的基准技术，完全适用于48V系统中的同步整流、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）和用于直流电机驱动的逆变器。 英飞凌场效应管MOS管IPP200N25N3G功能概述 1.行业最低研发水平（开） 2.最低Q g和Q gd 3.世界上最低的FOM RoHS兼容-无卤素MSL 1级优势 1.最高效率 2.最高功率密度 3.最低的板空间消耗 4.所需的最小设备并联 5.系统成本改进 6.环境友好型 7.易于产品设计

英飞凌infineon200V OptiMOS™ 产品是性能领先的基准技术，完全适用于48V系统中的同步整流、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）和用于直流电机驱动的逆变器。英飞凌MOS管场效应管IPP320N20N3G优势 1.最高效率 2.最高功率密度 3.最低的板空间消耗 4.所需的最小设备并联 5.系统成本改进 6.环境友好型 7.易于产品设计

什么是绝缘栅型场效应管 全称：Insulated Gate Field Effect Transister，IGFET，也称金属氧化物半导体场效应管，Metal Oxide Semiconductor FET，简称MOSFET即MOS管。 绝缘栅型场效应管分类 类型：P沟道MOS+N沟道MOS+VMOS; VMOS即功率场效应管，V型槽MOS场效应管，英文全称V-groove metal-oxide semiconductor； 绝缘栅型场效应管结构 一块P型硅衬底上，扩散两个高浓度掺杂的N+区，在两N+区间硅表面上制作一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，在SiO2和两个N型区表面上引出三个电极：源极s+栅极g+漏极d；