MOSFET漏极与源极间有个寄生二极管（体二极管），它在驱动感性负载，如：马达，非常重要。

此寄生二极管只在单个MOSFET中存在，集成电路芯片内部并没有。

MOSFET构造如下图所示：（栅极保护用二极管并没有画出）

MOSFET三个管脚间寄生电容因制造工艺限制而产生，无法避免（图右边）；

 

MOSFET驱动设计注意事项

MOSFET导通不需电流，但需要速度，看MOSFET结构图，GS，GD间有寄生电容，

驱动实际是：对此电容充放电；

对电容充电瞬间：即可看作电容短路，此时瞬间电流很大；

MOSFET驱动设计注意：

1.供瞬间短路电流最大值；

2.选择适合外接电容，得到足够短路电流驱动MOSFET；

原因：高端驱动NMOS，导通需 栅极电压 > 源极电压，导通时，源极电压=漏极电压VCC，

栅极电压 = VCC+4V或 VCC+10V；

在同一系统：电压要比VCC大，即设计专用升压电路，如：马达驱动器都集成了电荷泵；