MOS管集成电路保护层

1.本身有一层绝缘栅，绝缘栅氧化层厚度25nm+50nm+80nm；

2.集成电路高阻抗栅前，有电阻一二极管网络保护； 

但，电子元器件还是会被静电损害。

MOS管被损坏原因

1.高压放电，MOS管失效；

2.多次低电压放电，而累积失效；

3.输入端+输出端完全破坏，与电源端VDDGND短路，开路，导致MOS管全丧失功能；

4.静电损害会让电流不断泄漏，因此导致MOS管性能变坏；

5.静电高压与环境湿度和表面的条件有关；

 

为了避免以上原因，操作注意事项如下：

1.拿出电子元器件手册，不要超过任何的手册上的参数限额；

2.检查电子元器件未接入的输入端都接VDD，VSS；

3.有CMOS管，NMOS管集成电路印刷电路板，不能用一般塑料包装，储存和运输用抗静电材料做成容器，输入端及输出端串联一个电阻，以限制电路板移动与静电材料接触产生静电高压损害；

4.CMOS管，NMOS管集成电路应放接地工作台，操作人员手腕戴导电带；

5.静电材料不可接触CMOS管，NMOS管集成电路；

6.低阻抗设备接CMOS管，NMOS管集成电路输入端之前必让电子元器件先接通电源，断电源前先把设备与电子元器件断开；

7.所以有操作都要接地，如：扳直外引线手工焊接，接地：手腕+焊料罐；

8.二氧化碳制冷的冷冻室+放置隔板+寻电材料容器：放电子元器件；

9.自动化操作：运动中，电子元器件+传送带+印刷电路板产生高静电压，车间电离空气鼓风机+增湿机（室内相对湿度在35%以上）

10.与集成电路接触设备顶盖+底部+侧面都接地；