CmosTTL传输门电路，若P=0，N=1： 当A作为输入端且为高电平时，信号从上面的三极管传输到B端输出（P端三极管导通）； 若A为低电平，则通过下面的三极管送到B端（N端三极管导通）。 当B作为输入端且为高电平时，信号从下面的三极管送到A端输出（N端三极管导通）；若为低电平，则从上面的三极管传输到A端（P端三极管导通）。 若P=1，N=0，则两个三极管都截止，此时A、B之间相当于断开的开关。 因为是P=0，N=1时打开传输门，所以画出的电路符号上是P上有小圆圈，N上没有。

用2003集成IC驱动继电器时，不需要再加二极管进行保护， 原因：2003内部已经集成了放电二极管 其内部电路结构，可以看出2003每个输出口都集成了一个二极管连接到了COM口。 注意 COM口不能连接到GND上 原因：二极管是为了放掉继电器线圈中的能量 放电回路应该是继电器线圈→二极管→继电器线圈，COM口应该连到电源上才可。

按键消抖通常的按键所用开关为机械弹性开关，当机械触点断开、闭合时，由于机械触点的弹性作用，一个按键开关在闭合时不会马上稳定地接通，在断开时也不会一下子断开，因而在闭合及断开的瞬间均伴随有一连串的抖动，为了不产生这种现象而作的措施就是按键消抖。

在一些IO电平不匹配的情况，需要用到电平转换电路，特别如I2C总线上，主芯片和多个外设直接，较常遇到电源域电压不一致的情况。正向，左到右： 1，当SDA_M(Master端)输出为高电平，此时MOS场效应管的Vgs=0，MOS管不导通，SDA_S(Slave)线被电阻上拉到5V; 2，当SDA_M输出为低电平，此时MOS场效应管的Vgs=3.3V(大于导通电压)，MOS管导通，SDA_S通过MOS管被拉低到低电平;

SiC-MOS场效应管T属于第三代功率半导体器件。具有高功率密度、耐压高、耐高温及抗辐射电迁移等优点，特别适合恶劣环境。 然而其缺点也很明显。由于其禁带宽度比硅基的宽，其正向跨导Gfs就小，导致为减小静态损耗，加在栅极上的电压VGS就得大。另外，它的Crss比较大，miller效应就比较大，致使开启或关闭需要的电荷量Q就大。因此在使用时必须采用miller钳位，或者负压关断来解决。

“地”在电子技术中的定义是：作为电路或系统基准的等电位点或平面。 电路图和电路板上的GND代表地线或零线。 开关电源中比较常见的“地”主要有交流地、直流地、模拟地、数字地、信号地等。接地是指将电路与大地连接在一起，以形成电路的参考点和电流的回路。 接地的主要作用是保证电路的安全和稳定。

工作原理 两个用于管理充电和放电的N沟道功率MOS场效应管放置在接地端，漏极背靠背连接，这是PCM的常见方案之一，如下图所示，其中，Q1是用于电池放电的功率MOS场效应管，Q2是用于电池充电的功率MOSFET，B+是电池的正极，B-是电池的负极，P+是电池组的正极，P-是电池组的负极，VSS是电池保护管理IC的接地，即电池的负极，VSS和Q1的电源连接。在PCM板工作之前，Q1和Q2都关闭。

早期数据中心将电网电压集中转换为 12V，然后通过总线将电力传输至服务器，再通过逻辑电平转换器将电压转换为 3.3/5V。 但是功率需求不断提升，此供电方法的电能损耗变得不可接受。因此，母线电压被提高到 48V，电流减小到原来的 1/4，损耗降低到原来的 1/16。目前处理器电压进一步降低，从 3.3V 降到低于 1V 的亚伏特级别，此时就需要使用多条功率相对较高的电压轨，进而产生两级电压转换方案。

MOS管电容自举驱动电路IC内部图 自举电容电路 基于IC驱动半桥开关电路，驱动IC内部半桥输出拓扑：1.Q1关断，Q2打开，Q2栅极电压=VCC； 2.Q2导通，Q1关断，Q1源极电压≈0V， 此时VCC电压通过Rboot→Dboot→Cboot→Q2-GND，对自举电容Cboot进行充电； Q2充满电，Q2关断，打开Q1，Q1源极和GND断开，相当于浮空

寄生等效串联电感ESL是表面贴装器件(SMD)电阻器的固有特性。 由于检测电阻器的值较低（毫欧级），ESL会对检测架构带来显著的影响。为了消除寄生ESL所带来的影响，必须在检测走线中添加RC滤波器。 ESL不仅包含检测电阻器寄生电感，而且还包含由电路板布局和走线引起的总电感 ESL可通过公式3计算： VESL(step)是检测电阻器两端的附加电压。 滤波器需要产生一个RC时间常数，该常数等于或小于计算出的检测电阻器时间常数(ESL/R)。移除滤波器后，检测电阻器将表现出与其电阻特性叠加的电感特性。这些可以通过检测电阻器波形上的尖峰（电压阶跃）观察到，如下图所示。