驱动线路走线会有寄生电感，而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路。
 

注意:
1.直接把驱动芯片的输出端接到MOS场效应管栅极，在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡，导致MOS场效应管急剧发热甚至爆炸。

解决方案：在栅极串联10欧左右的电阻，降低LC振荡电路的Q值，使震荡迅速衰减掉。   

MOS管栅极高输入阻抗的特性，一点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通。
解决方案：在MOS场效应管 G S之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗。
 

如果担心附近功率线路上的干扰耦合过来产生瞬间高压击穿MOS管的话，可以在GS之间再并联一个18V左右的TVS瞬态抑制二极管。

TVS可认为是一个反应速度很快的稳压管，其瞬间可以承受的功率高达几百至上千瓦，可用来吸收瞬间的干扰脉冲，如下参考电路：