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- SPICE MOS场效应管电平比较-竟业电子
- 第一代 SPICE 仿真程序使用的 MOS场效应管模型
级别 1
时序计算和低仿真时间提供高准确度
即 Schichman-Hodges 模型
应用于：栅极长度 > 10 µm 的器件。
通道长度调制通过使用参数 L 建模。
跨导：考虑体偏置。
Level 1 模型：不包括载流子饱和效应、载流子迁移率退化或弱反转模型。
级别 2
考虑大量电荷效应
即 Grove-Frohman 模型
如：阈值电压恒定且仅随衬底电压变化，则不考虑短沟道效应。
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- MOS场效应管的横截面图-MOS场效应管知识-竟业电子
- MOS场效应管的横截面图
如下电路
MOS场效应管电路模型在雪崩中，充当二极管的 pn 结不再阻断电压。
加上过高的电压会到临界场，碰撞电离 ≈∞，雪崩倍增，载流子浓度增加。
因径向场分量，元件内部的电场在结弯曲处最强。
此强电场在寄生 BJT 附近产生最大电流
如下图所示
当压降足以正向偏置寄生 BJT 时
雪崩下的MOS场效应管横截面
功耗会增加温度，即RB增加
原因：硅电阻率随温度增加。
根据欧姆定律，在恒定电流下，增加电阻，导致电阻两端的电压降增加。
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- 配合MOS场效应管正常工作的驱动电路-竟业电子
- 配合MOS场效应管要正常工作的驱动电路，驱动芯片驱动MOS场效应管电路如下所示：
电源VCC→M1和Rg，给Cgs，Cgd充电，MOS场效应管开通
充电简化电路如下所示：
M1关断 M2开通
Cgs通过Rg和M2放电，MOS场效应管关断
放电简化电路如下所示：
驱动电流及速度决定驱动能力
即驱动电流，驱动的上升，下降时间。
驱动上升,下降时间：影响器件开通及关断速度。
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- 功率MOS场效应管作为逆变器装置-MOS场效应管应用-竟业电子
- 功率MOS场效应管作为逆变器装置，应用于用汽车电池供电。
直流变交流电路如下所示：
如上电路所示，
输入电压=12伏直流电
输出电压=100V的交流电
输入和输出电压不定，可以选择任何电压。
它他依赖于变压器使用。
波形输出为方波。
即可得，电路功率=100W。
注意：电路必须按装保险丝。
原因：过多输入电流流动时，振荡器停止。
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- 什么是CMOS场效应管闩锁效应及Latch up产生-竟业电子
- 闩锁效应：指CMOS场效应管电路中，寄生可控硅结构被触发导通，在电源和地间存在一个低阻抗大电流通路，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路。
Latch up：指CMOS场效应管晶片中，在电源VDD和地线GND(VSS)间，因寄生PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路，它的存在会使VDD和GND间产生大电流；
Latch up产生，根据封装密度与集成度有关，这两者越高，可能产生Latch up越大。
Latch up产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏。
IC Layout防范Latch up很重要。
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- 智能碳化硅MOS场效应管驱动核注意事项-竟业电子
- 碳化硅MOS场效应管拥优势：低开关损耗
快速开关：可实现系统的高频化，小型化，并提高效率。
高压超快的开关速度：即有超高di/dt，dv/dt，会通过系统的杂散电感，电容形成干扰，对设计工程师带来了新的挑战。
碳化硅MOS场效应管的门极是一个耐压非对称体。
碳化硅MOS场效应管的阈值电压非常低，在超快速的di/dt，dv/dt下，为了避免高速开关带来的串扰，如误开通，门极超压，直通短路等，那么，设计碳化硅MOS场效应管驱动时需要注意。
智能碳化硅MOS场效应管驱动注意事项
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- 场效应管代换注意事项-场效应管知识-竟业电子
- 场效应管代换注意事项
场效应管击穿或损坏后，不能修复。
1.场效应管代换时，同材料、同规格可代换
2.可用大功率、大电流、高电压的代换小功率、小电流和小电压，
但应注意使用环境和使用条件，不得过大，否则由于电路工作点改变，管子难以正常工作。1.晶体管类型及材料，因NPN型与PNP型晶体管工作时，对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换。
2.晶体管的材料有锗材料和硅材料，它们起始电压不一样。
锗管PN结的导通电压为0.2V左右
硅管PN结的导通电压为0.6~0.7V
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- 场效应管应用于音频混合器的电路图及优势-竟业电子
- 场效应管音频混合器，此电路为两个或多个声道混合成一个声道（如立体声到单声道）。
该电路可根据喜好混合任意多个或任意少个通道，并且功耗非常低。
混音器显示为两个输入，但只需复制示意图上清晰可见的“部分”，即可添加任意数量的输入。
R1，R3 R2，R4=100K 1/4 W电阻器
R5=6.8K 1/4 W电阻器
C1，C2，C3=0.1uF电容器
Q1=2N3819结场效应管音
电线、屏蔽（金属）外壳、唱机或其他输出插头
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