MOS场效应管的横截面图

如下电路

MOS场效应管电路模型在雪崩中，充当二极管的 pn 结不再阻断电压。

加上过高的电压会到临界场，碰撞电离 ≈∞，雪崩倍增，载流子浓度增加。

因径向场分量，元件内部的电场在结弯曲处最强。

 

此强电场在寄生 BJT 附近产生最大电流

如下图所示

当压降足以正向偏置寄生 BJT 时

雪崩下的MOS场效应管横截面

 

功耗会增加温度，即RB增加

原因：硅电阻率随温度增加。

根据欧姆定律，在恒定电流下，增加电阻，导致电阻两端的电压降增加。