第一代 SPICE 仿真程序使用的 MOS场效应管模型

级别 1

时序计算和低仿真时间提供高准确度

即 Schichman-Hodges 模型

 

应用于：栅极长度 >  10 µm 的器件。

通道长度调制通过使用参数 L 建模。

跨导：考虑体偏置。

Level 1 模型：不包括载流子饱和效应、载流子迁移率退化或弱反转模型。

 

级别 2

考虑大量电荷效应

即 Grove-Frohman 模型

如：阈值电压恒定且仅随衬底电压变化，则不考虑短沟道效应。

应用：栅极长度= 10 µm 的器件

修改漏极电流以包括由 λ 参数建模的通道长度调制。

 

级别 3经验模型

经验模型应用≈2 µm 栅极长度

仿真时间更短且趋于收敛

包括通过横向场引起的漏极诱导势垒降低和迁移率降低。