配合MOS场效应管要正常工作的驱动电路，驱动芯片驱动MOS场效应管电路如下所示：

 

电源VCC→M1和Rg，给Cgs，Cgd充电，MOS场效应管开通

充电简化电路如下所示：

 

M1关断 M2开通

Cgs通过Rg和M2放电，MOS场效应管关断

放电简化电路如下所示：

 

 

驱动电流及速度决定驱动能力

 

即驱动电流，驱动的上升，下降时间。

驱动上升,下降时间：影响器件开通及关断速度。

如下图所示

MOS场效应管开通，门极驱动电压和驱动电流的时序。

t1→t2：门极驱动源电流IO+从零开始到峰值电流的建立时间。

t3时刻：门极电压达到米勒平台，源电流开始给MOS场效应管的米勒电容充电。

t4时刻：米勒电容充电完成，源电流继续给MOS场效应管的输入电容充电，门极电压上升直到达到门极驱动的电源电压VCC。

t4→t5源电流也从峰值电流降到零。

t1→t2的源电流的建立时间，此时间由驱动芯片决定，它影响驱动速度。