碳化硅MOS场效应管拥优势：低开关损耗

快速开关：可实现系统的高频化，小型化，并提高效率。

高压超快的开关速度：即有超高di/dt，dv/dt，会通过系统的杂散电感，电容形成干扰，对设计工程师带来了新的挑战。

 

碳化硅MOS场效应管的门极是一个耐压非对称体。

碳化硅MOS场效应管的阈值电压非常低，在超快速的di/dt，dv/dt下，为了避免高速开关带来的串扰，如误开通，门极超压，直通短路等，那么，设计碳化硅MOS场效应管驱动时需要注意。

智能碳化硅MOS场效应管驱动注意事项

1.驱动电路

要有提供足够大的驱动电流

要有提供足够大的驱动电压，减小它的导通损耗。

用负压关断，防止误导通，增强其抗干扰能力。

要有非常小的整个驱动回路寄生电感。

尽量靠近功率管。

峰值电流Imax要更大，米勒平台的持续时间要小，以提高开关速度。

 

2.触发脉冲有比较快的上升速度和下降速度，脉冲前沿和后沿要陡。

3.驱动回路的阻抗不能太大，开通时快速对栅极电容充电，关断时栅极电容能够快速放电。