MOS场效应管尖峰电压解决方案 尖峰电压 即一种浪涌电压。 特点：时间短，高电压值。 为何会产生尖峰电压 产生的主要因素：功率转换设备+电容器+电机 如：雷电击，输电线路，引起危险高能瞬变，会在低压电源电路中定期发生，可产生的数千伏峰值。

CMS6164采用双N 沟道V MOS场效应管或IGBT 构成的桥式电路设计的三相中压高速 栅极MOS场效应管驱动IC解决方案 此方案可以应用于直流无刷和直流无刷 它是通过 输入信号：HIN，LIN HIN控制高侧驱动电路输出HO LIN控制低侧驱动电路输出LO 内置最小死区时间310ns 当单片机，输出信号死区时间 > 内置死区时间 实际死区时间=单片机设置的死区时间

与逻辑怎么形成 形成：2个MOS场效应管并联 或逻辑怎么形成 形成：2个MOS场效应管串联 CMOS场效应管上面是P管，下面是N管，并且始终保持这一个状态。 它们出现时是成对的，且是有对偶关系。 若，上面是串联，下面必须是并联。 若，上面是并联，面一定是串联。

Nmos：只能S极接地。 原因：通过Vgs电压，控制开关mos管。 若：S极接地，S极电势=0V 控制G极，即Vin1控制Nmos管。 Vin1=高电平，则mos管打开 Vin1=低电平，则mos管关断 看上图，右边： Pmos：Vgs <0，则mos管打开。 s极接电源，s极=高电平 G极=0V ，mos 管导通。 G极=高电平，mos管关断。

MOS管替代原则 1.最优是原型号替代。 2.功率不要一味要求大 原因：大功率，大输入电容值，不符合原激励电路，激励灌流电路充电限流电阻阻值与MOS管输入电容相关。 如：大功率容量大，输入电容大，激励电路配合不好，MOS管开与关性能差。 3.若，MOS管换不同型号，考虑输入电容 4.MOS管更换时，它周边的灌流电路元件，也要一起更换。 原因：MOS管损坏可能是灌流电路元件欠佳。

MOS场效应管放电过程，开关断开即三极管截止的等效电路，开关断开，因电感的电流 特性保持，电流经过电感，并不会迅速等为0，只是慢慢充完电后，它的值才会等于0。原电路已断开，电感只能通过新电路放电

MOS场效应管DM脉冲漏极电流作用：反应元件可处理脉冲电流的高低脉冲电流：高于连续的直流电流。定义IDM目的：线的欧姆区。 一定栅源电压下，MOS场效应管导通后，有最大漏极电流。

MOS场效应管应用于电机驱动电路中的接地电容电机系统中提供瞬间电荷，寄生电感导致抑制电流纹波和电压尖峰。原因：电荷是由低值电容器提供，并且可以快速提供。 大量的电荷可以从高值电容器，此处获得，随时间充电。

芯片硅基掺杂材质不同 N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道 P沟道MOS管：用空穴流作为载流子 P沟道MOS管是用空穴流作为载流子迁移率小，需要从栅极到源极的负电压(VGS)才能导通，是高边开关的理想器件。有助简化电路设计、减少体积，实现低压驱动。

MOS场效应管判断寄生二极管规则： N沟道：S极指向D极 P沟道：D极指向S极，二极管：独特的单向导电性，可想成电子版的逆止阀。 如何产生寄生二极管： 因生产工艺造成，大功率MOS场效应管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。 小功率MOS场效应管 集成芯片中MOS管是平面结构 漏极方向：从硅片上面与源极相同方向，无此二极管。