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- PMOS场效应管自动断开的工作原理电路-MOS场效应管知识-竟业电子
- 未接入USB时
闭合S2 电流，流过PMOS场效应管的体二极管
正在这时候， PMOS场效应管的S极
S极的电位=正
G极电位=0
当Vgs<0 且< Vgsth 时，PMOS导通
CJ2301 Vgs(th)=-1V )
S1闭合 接入USB时
G极电位=USB对地电位
S极电位=原来负载端电位
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- 电源开关采用PMOS场效应管优劣分析及改善解决方案-MOS场效应管知识-竟业电子
- MOS场效应管知识电源开关采用PMOS场效应管优劣分析及改善解决方案，出现有问题：POWER_RESET=高，Q4和Q2导通，电源接通;
POWER_RESET=低，Q4和Q2不导通，电源不通。PCB板焊上元件，通电，电路异常如：POWER_RESET突然变高如上图电路中电源3V3突然接通，DCDC_3V3被拉下。DCDC_3V3=前级电源
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- MOS场效应管尖峰电压解决方案-MOS场效应管知识-竟业电子
- MOS场效应管尖峰电压解决方案
尖峰电压
即一种浪涌电压。
特点：时间短，高电压值。
为何会产生尖峰电压
产生的主要因素：功率转换设备+电容器+电机
如：雷电击，输电线路，引起危险高能瞬变，会在低压电源电路中定期发生，可产生的数千伏峰值。
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- 栅极MOS场效应管驱动IC解决方案-MOS场效应管 知识-竟业电子
- CMS6164采用双N 沟道V MOS场效应管或IGBT 构成的桥式电路设计的三相中压高速
栅极MOS场效应管驱动IC解决方案
此方案可以应用于直流无刷和直流无刷
它是通过
输入信号：HIN，LIN
HIN控制高侧驱动电路输出HO
LIN控制低侧驱动电路输出LO
内置最小死区时间310ns
当单片机，输出信号死区时间 > 内置死区时间
实际死区时间=单片机设置的死区时间
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- 逻辑门电路与MOS场效应管的关系与各门的电路图-竟业电子
- 与逻辑怎么形成
形成：2个MOS场效应管并联
或逻辑怎么形成
形成：2个MOS场效应管串联
CMOS场效应管上面是P管，下面是N管，并且始终保持这一个状态。
它们出现时是成对的，且是有对偶关系。
若，上面是串联，下面必须是并联。
若，上面是并联，面一定是串联。
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- NMOS管与PMOS管用G极控制mos管开关-竟业电子
- Nmos：只能S极接地。
原因：通过Vgs电压，控制开关mos管。
若：S极接地，S极电势=0V
控制G极，即Vin1控制Nmos管。
Vin1=高电平，则mos管打开
Vin1=低电平，则mos管关断
看上图，右边：
Pmos：Vgs <0，则mos管打开。
s极接电源，s极=高电平
G极=0V ，mos 管导通。
G极=高电平，mos管关断。
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- MOS管替代原则及注意事项-MOS管知识-竟业电子
- MOS管替代原则
1.最优是原型号替代。
2.功率不要一味要求大
原因：大功率，大输入电容值，不符合原激励电路，激励灌流电路充电限流电阻阻值与MOS管输入电容相关。
如：大功率容量大，输入电容大，激励电路配合不好，MOS管开与关性能差。
3.若，MOS管换不同型号，考虑输入电容
4.MOS管更换时，它周边的灌流电路元件，也要一起更换。
原因：MOS管损坏可能是灌流电路元件欠佳。
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