MOS场效应管DM脉冲漏极电流

作用：反应元件可处理脉冲电流的高低

脉冲电流：高于连续的直流电流。

定义IDM目的：线的欧姆区。

 

一定栅源电压下，MOS场效应管导通后，有最大漏极电流。

如图所示

 

栅源电压定值，若工作点在线性区域内，漏极电流上升，漏源电压上升，导通损耗上升。

 

在大功率时，工作长时间，元件会失效。

解决方案：在典型栅极驱动电压下，额定IDM设定在区域之下。

区域分界点在Vgs和曲线相交点。

 

电流密度需设上限，避免芯片温度太高烧毁。

即也是避免高电流流经封装引线

原因：在有些时候，最薄弱的连接是在封装引线。

 

IDM受因热效应

温度上升还是下降受以下因素影响

脉冲宽度

脉冲间时间间隔

散热

RDS(on)

脉冲电流的波形和幅度