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  • MOS场效应管DM脉冲漏极电流-MOS场效应管知识-竟业电子

       时间:2022/10/12       阅读:450    关键词:MOS场效应管

     

    MOS场效应管DM脉冲漏极电流

    作用:反应元件可处理脉冲电流的高低

    脉冲电流高于连续的直流电流。

    定义IDM目的:线的欧姆区。

     

    一定栅源电压下,MOS场效应管导通后,有最大漏极电流。

    如图所示

    MOS场效应管DM脉冲漏极电流

     

    栅源电压定值工作点线性区域内,漏极电流上升,漏源电压上升,导通损耗上升。

     

    大功率时,工作长时间,元件会失效。

    解决方案:在典型栅极驱动电压下,额定IDM设定在区域之下

    区域分界点在Vgs和曲线相交点。

     

    电流密度需设上限,避免芯片温度太高烧毁。

    即也是避免高电流流经封装引线

    原因:在有些时候,最薄弱的连接是在封装引线。

     

    IDM受因热效应

    温度上升还是下降受以下因素影响

    脉冲宽度

    脉冲间时间间隔

    散热

    RDS(on)

    脉冲电流的波形和幅度

     

     

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