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- 在使用SiC MOS场效应管时低传播延迟很重要-MOS场效应管知识-竟业电子
- 低传播延迟
在高频电源系统中很重要
因SiC MOS场效应管等WBG器件，可用高频电源系统。
在这些系统中，更高的频率能够最大程度地减少滤波组件，从而最大程度地减小系统，因此能够实现更高的功率密度。
更高的频率即有更高的开关损耗，要降低损耗。
传播延迟是栅极驱动器的关键参数之一
它可能会影响高频系统的损耗和安全性
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- 功率密度电流密度及体积密度的重要性解读-竟业电子
- 功率密度是衡量在给定空间内，可处理多少功率的指标，可量化为每单位体积处理的功率量，单位：瓦/立方米 (W/m3) 或瓦/立方英寸 (W/in3)。
它的值：基于转换器的额定功率和电源解决方案
箱体体积=长度 x 宽度 x 高度
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- 结型场效应晶体管通道夹断-结型场效应晶体管知识-竟业电子
- 在该夹断区域中，栅极电压、VGS控制沟道电流，VDS几乎没有影响。
结果：FET的作用更像一个电压控制电阻器
当VGS=0时，电阻值=0
当栅极电压非常负时，电阻最大为“ON”，在正常操作条件下，JFET栅极总是相对于源极负偏置。
重要：栅极电压永远不会是正的
原因：是正，所有的沟道电流都会流到栅极而不是源极
结果：会损坏JFET，关闭通道
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- 结型场效应晶体管放大器-结型场效应晶体管应用-竟业电子
- 像双极结晶体管一样，JFET可以用于制造具有JFET公共源极放大器的单级A类放大器电路，其特性与BJT公共发射极电路相似。
JFET放大器优势
它们的高输入阻抗，R1和R2形成的栅极偏置电阻网络控制。该共源（CS）放大器电路由电阻器R1和R2形成的分压器网络以A类模式偏置。源极电阻器RS两端的电压通常被设置为大约VDD的四分之一（VDD/4），但可以是任何合理的值。
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- Si MOS场效应管和Si IGBT及SiC MOS场效应管电源开关差异
- MOS场效应管：低导通损耗
但取决于，器件的漏源导通电阻 RDS(ON) 与导通状态电压。
Si MOS场效应管承载的电流小于IGBT
IGBT 用于：大功率。
MOSFET用于： 重视高效率的高频应用。
SiC MOS场效应管 与 Si MOSFET 相似
SiC是一种 WBG材料，其特性允许这些器件在与 IGBT相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。
这些特性可转化为系统优势，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。
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- NPN晶体管开关电路开与关的分析-晶体管知识-竟业电子
- 不同：晶体管作为开关操作，晶体管需要完全“关”（截止）或完全“开”（饱和）。
理想状态
晶体管开关在“完全关闭”时，集电极和发射极之间的电路电阻为无穷大，导致流过它的电流为零，
在“完全打开”时，集电极和发射体之间的电阻为零，导致电流最大。
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