低传播延迟
在高频电源系统中很重要
因SiC MOS场效应管等WBG器件，可用高频电源系统。
在这些系统中，更高的频率能够最大程度地减少滤波组件，从而最大程度地减小系统，因此能够实现更高的功率密度。

更高的频率即有更高的开关损耗，要降低损耗。
传播延迟是栅极驱动器的关键参数之一
它可能会影响高频系统的损耗和安全性

传播延迟定义为：从输入的 50% 到输出的 50% 的延时时间
如下图所示

该延迟会影响器件之间切换的时序，这在器件之间的死区时间或关断时间受限的高频应用中至关重要。
死区时间是必需的，用于确保两个器件不会同时导通，而同时导通可导致击穿并降低效率。

当死区时间 < 传播延迟
则两个器件同时导通
如下图所示

死区时间 > 传播延迟
导致系统效率降低

在使用 SiC MOS场效应管时该结果很重要，因为在死区时间期间电流会向回流过体二极管。该二极管两端的压降很大，会增加损耗。

传播延迟在以下应用也很重要
并联 MOS场效应管 和 IGBT 并以最小的导通延迟差异同时驱动它们
用具有低传播延迟的栅极驱动器，在高频系统中提高效率。