IGBT 和 SiC MOS场效应管在开关瞬变期间，会因电压和电流重叠而产生损耗

栅极电流或驱动强度，决定器件输入电容器的充电和放电速度

如下图所示

表示为 tsw

栅极电流增大，tsw减小

电流过小，损耗升高

栅极电荷QG决定，所需栅极驱动强度

如图所示

可用公式计算在 V gs 增大至超过 Vth 到最大驱动电压VDRV期间（时间为 ton），为器件充电所需的平均电流，该电流是使器件完全导通所需的平均电流。

 

在米勒平坦区域中，栅极电压在开关瞬态期间保持恒定，栅极驱动器，必须能够在该区域期间提供最大电流，以降低开关损耗，这取决于栅极电阻器和该平坦区域期间的驱动电压。

 

SiC MOS场效应管应用于大功率和高频率

原因：可快速开与关

在保证开关速度的前提，栅极电流值要高

更快的开关速度可最大限度地减少无源组件，从而减小总体系统尺寸和重量，在快速且高效地开关时，IGBT 和 SiC MOS场效应管 均可提供系统级优势。