欧洲最强大的400千瓦直流充电器：CoolSiC™ 对于超快的维修站 西班牙电力转换集团英格泰姆和英飞凌infineon携手合作，为超高速电动汽车（EV）充电提供最佳客户体验。英格泰姆的INGEREV®RAPID ST400变频器的额定功率为400 kW，基于CoolSiC™ 最容易的事™ 2B外壳。英飞凌Infineon的八个单点充电模块。根据各自汽车的充电能力，电动汽车现在只需要停止至少10分钟的80%的电池充电。这相当于用内燃机给传统汽车加油

英飞凌Infineon新的CoolSiC汽车MOSFET功率模块完全符合AQG324标准。 CoolSiC汽车MOSFET技术 新模块基于英飞凌Infineon的碳化硅沟槽MOSFET结构。与平面结构相比，沟槽结构具有更高的细胞密度，从而产生最佳的性能因数。因此，沟道mosfet可以在较低的栅氧化场强度下工作，以获得更高的可靠性。 第一代CoolSiC汽车MOSFET技术优化用于牵引逆变器，重点在于实现尽可能低的传导损耗，特别是在部分负载条件下。再加上碳化硅mosfet的低开关损耗，这使得逆变器工作时的损耗比硅igbt降低约60%。

英飞凌infineon正在扩大其为电池管理系统提供的产品，该系统采用了一种新的传感和平衡ICTLE9012AQU。该装置专为混合动力和电动汽车的电池设计，但也适用于其他应用。它可以在整个温度和电压范围以及工作寿命周期内，以±5.8 mV的精度测量多达12个电池单元中的电压。此外，它支持多达5个外部温度传感器，提供集成单元平衡功能，并使用iso UART接口进行通信。

英飞凌infineon虚拟PCIM 2020展台将于7月1日全面上线，展台配备最新的功率半导体。今天已经有了一个简短的演示预览。从7月20日起，您可以在互联网上访问包含传感器主题的虚拟传感器体验（VSE）展台。这两种在线体验都是类似设计的：在数据保护法要求的注册之后，用户可以自己探索带有各自主要主题的展台。在PCIM，这些是运输和电子移动的行业、消费者和解决方案。在VSE，重点是汽车、工业和消费者，后者再次分为智能建筑和生活方式。

英飞凌infineon SECORA™ ID S针对特定地区的电子身份证和电子政务解决方案的最高安全性和灵活性。 英飞凌infineon SECORA ID S系统解决方案优势: 1.安全芯片SLC52G为持卡人的个人数据提供最高保护，存储容量高达800千字节。 2.该芯片是在奥地利格拉茨的英飞凌非接触式技术能力中心开发的；它为非接触式数据传输提供了卓越的性能。 3.Java Card™ 标准v3.0.5软件促进并加速了电子身份证的开发和测试。 4.定制的小程序加速了文档的个性化。

通过收购Cypress Semiconductor Corporation，英飞凌Infineon增强了其在内存解决方案方面的专业技能。英飞凌今天宣布，在其屡获殊荣的Semper NOR闪存平台上增加Semper Security。基于Semper-NOR-Flash经现场验证的强大智能存储器体系结构，Semper-Secure-NOR-Flash是第一个将安全性和功能安全性结合在单个NOR-Flash设备中的存储器解决方案，可提供最先进的连接汽车、工业和通信系统所需的安全性、安全性和可靠性。

LED驱动芯片BCR431U在设计低电流LED灯带时提供了更大的自由度 英飞凌infineon BCR431U恒流线性LED驱动IC为调节LED电流提供低电压降性能。这是新一代BCR系列中发布的第二款低电压降设备，主要针对高达37毫安的低电流设计。 英飞凌infineon新BCR431U的典型应用包括LED灯带、通道字母、建筑LED照明、LED显示屏以及应急、零售和电器照明。 集成驱动芯片上的电压降在15毫安时可以降到105毫伏。这在业界是无与伦比的，在照明应用方面提供了更大的灵活性。它提高了整体效率，并提供了所需的电压净空，以补偿LED正向电压公差和电源电压的变化。 英飞凌infineon BRCU431U允许在照明设计中添加额外的led，例如，由一个IC驱动的7个而不是6个串联led。或者，它可以用于将LED条设计的总长度从5 m增加到7 m。总的来说，较长的LED条意味着更少的馈电点和更少的安装工作量。

英飞凌infineon CoolSiC™ MOSFET 1700 V贴片电子元器件为高压辅助电源提供了最佳的效率和降低的复杂性 英飞凌infineon补充其CoolSiC™ 提供另一种电压等级的MOSFET。今年早些时候，该公司在投资组合中增加了650V，现在，该公司正推出1700V级，采用其专有的trench半导体技术。最大限度地利用碳化硅（SiC）的强大物理特性，这确保了新的1700V表面安装器件（SMD）提供了卓越的可靠性，以及低开关和传导损耗。 CoolSiC MOSFETs 1700v的目标是三相转换系统中的辅助电源，如电机驱动、可再生能源、充电基础设施和HVDC系统。 这种低功耗应用通常工作在100W以下。在这种情况下，设计者通常更喜欢单端反激拓扑。随着新的CoolSiC MOSFETs 1700v在SMD封装，这种拓扑现在甚至启用了直流连接辅助电路高达1000伏直流输入电压。采用单端反激变换器的高效率、高可靠性的辅助变换器可以在三相功率变换系统中实现。这导致最小的足迹和减少的材料清单。

英飞凌infineon开发了世界上第一个全独立的覆盆子皮音频放大器帽（硬件连接在顶部）板。它提供高清晰度音频在一个小的形状因素的繁荣盒功率水平。 英飞凌infineon专有的多级技术确保树莓皮用户和制造商的最小尺寸和消耗、最先进的电源效率和高清音频质量。目标使用领域是带有无线音乐流的活动扬声器。 电路板（KIT_40W_AMP_HAT_ZW）与覆盆子Pi Zero W和覆盆子Pi 3和4兼容。它利用了™ 由MERUS MA12070P放大器启用的多级D级放大，允许无滤波器放大器设计，无需在输出滤波器处使用滤波器线圈。这大大降低了BOM成本，并使PCB面积减少。

英飞凌infineon双脉冲测试是设计师了解电力设备开关行为的标准程序。方便测试1200 V CoolSiC™的驱动选项在TO247的MOSFET 3针和4针封装中， 英飞凌infineon引入了一个模块化的评估平台。它的中心包括一块带有可互换驱动器卡的主板。驱动器选项包括一个米勒钳和一个双极电源卡；在不久的将来将推出更多的变种。 在缩短各种应用的上市时间方面，这一组合将有助于为碳化硅成为主流铺平道路。 英飞凌infineon评估平台的主板分为两部分，主电源侧和次电源侧。 在一次侧，将连接12 V电源和脉冲宽度调制（PWM）。 二次侧是驱动器的二次电源，半桥与电流测量分流器和外部电感连接。驱动器的正工作电压可以在+7.5到+20V之间调节，而负工作电压可以在+1V到-4.5V之间调节。 主板的最大电压设计为800V，最大脉冲电流为130A。在高达175°C的温度下测量时，散热器可以与加热元件。