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英飞凌infineon离散CoolSiC™mosfet模块化评价平台允许测试不同的驱动选项

   时间:2020/5/22      阅读:994    关键词:英飞凌infineon

 

英飞凌infineon双脉冲测试是设计师了解电力设备开关行为的标准程序。方便测试1200 V CoolSiC™的驱动选项在TO247MOSFET 3针和4针封装中,

英飞凌infineon引入了一个模块化的评估平台。它的中心包括一块带有可互换驱动器卡的主板。驱动器选项包括一个米勒钳和一个双极电源卡;在不久的将来将推出更多的变种。

 

在缩短各种应用的上市时间方面,这一组合将有助于为碳化硅成为主流铺平道路。

 

英飞凌infineon评估平台的主板分为两部分,主电源侧和次电源侧。

在一次侧,将连接12 V电源和脉冲宽度调制(PWM)。

二次侧是驱动器的二次电源,半桥与电流测量分流器和外部电感连接。驱动器的正工作电压可以在+7.5+20V之间调节,而负工作电压可以在+1V-4.5V之间调节。

主板的最大电压设计为800V,最大脉冲电流为130A。在高达175°C的温度下测量时,散热器可以与加热元件。

 

作为两个驱动器选项的参考设计,卡具有来自EiceDRIVER的驱动ic™ 适用于碳化硅功率器件的高频开关。

第一个模块化卡包含1EDC Compact1EDC20I12MH和集成的有源米勒钳,通常在2 V以下激活。

第二个驱动卡包含1EDC Compact1EDC60H12AH,允许双极供电,其中VCC2+15 VGND2为负。有了这两个驱动卡,该产品组合已经涵盖了设计师在驱动SiC mosfet时首选的大部分选项。

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