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- VMOS场效应管结构图-VMOS场效应管优势应用-MOS场效应管知识-竟业电子
- VMOS场效应管：全称V型槽MOS场效应管，英文名称VMOSFET，简称VMOS管；
因它在栅极与芯片间有二氧化硅绝缘层，包含在绝缘栅型MOS场效应管中。
传统MOS场效应管栅极，源极和漏极处于同一水平面芯片上，工作电流沿水平方向流动。
VMOS场效应管并不是，如下图所示：
结构特点：
1.垂直导电性金；
2.属栅极采用V型槽结构；
漏极从芯片背面引出，ID不沿芯片水平流动，自重掺杂N+区（源极S）出发，经P沟道流入轻掺杂N-漂移区，垂直向下达漏极D；
流通截面积增大，能通过大电流；
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- P沟道MOS场效应管开关电路图及工作条件-PMOS场效应管知识-竟业电子
- PMOS场效应管工作条件：
在栅上相对于源极加负电压，或是在PMOS场效应管栅上加负电压，在衬底感应是可运动正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，
衬底中感应正电荷数量=PMOS场效应管栅上负电荷的数量
PS:不考虑二氧化硅中存在的电荷影响，
达到强反型，在相对于源端为负的漏源电压作用下，源端正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源极到漏极的源极漏极电流。
同时VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流数值越大。
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- cmos场效应管过温保护电路设计原理公式-MOS场效应管知识-竟业电子
- Q0作用：检测芯片工作温度；
芯片正常工作：
三极管反射极电位VE ,比较器
负端电位 > 正端电位
比较器输出低电平;
温度升高:
因：三极管EB结电压是负温度系数
三极管发射极到基极电压VEB降低
因：基极电位是基准电压VREFl
三极管的发射极电压即比较器的负端电位降低;
温度 > 翻转阈值
比较器负端电位会降到 < 正端电位VREF2，
比较器输出高电平，关断功率开关电子元器件，保护芯片被烧毁；
迟滞产生电路作用：
芯片正常工作+过温产生大小不同电流，比较器翻转阈值改变，
防止功率开关器件在翻转点频繁开启和关断。
cmos场效应管过温保护实际电路如下图所示：
管芯温度 > 160℃
电路输出控制信号OUTPUT，输出为高电平
温度=140℃
电路输出控制信号OUTPUT，转为低电平
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- 什么是Mos场效应管恒流电路-Mos场效应管恒流电路图分析-竟业电子
- Mos场效应管恒流电路又叫又电流反射镜电路；
组成：信号源+电压控制电流源VCCS；
技术：DDS技术正弦信号源采用直接数字频率合成，
以一定频率连续从EPROM中读取正弦采样数据，经D/A转换并滤波后产生EIT所需正弦信号。Mos场效应管恒流源电路
组成：三极管（两同型号）+两个电阻此三极管特点：
1.Vbe电压相对稳定
2.基极电流相对集电极电流较小
因此组成的恒流源的电流相对恒定
电流Io=Vbe/R1
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- 英飞凌BSZ034N04L功能应用参数Datasheet-MOS场效应管-竟业电子
- OptiMOS™ 40V是开关电源（SMP）中同步整流的理想选择，例如服务器和台式机中的SMP。此外，这些器件可用于广泛的工业应用，包括电机控制和快速开关DC-DC变换器。
英飞凌MOS场效应管BSZ034N04L功能概述
1.出色的门极充电x R DS（on）产品（FOM）
2.极低导通电阻Rds（on）
3.适用于快速切换应用
4.符合RoHS标准-无卤素
5.MSL1额定值
优势
1.最高的系统效率
2.不需要并联
3.功率密度增加
4.降低系统成本
5.极低电压过冲
潜在应用
1.同步整流
2.隔离DC-DC转换器
3.控制电机
4.Or-ing开关
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- 英飞凌MOS场效应管BSC026N08NS5应用参数Datasheet-竟业电子
- 英飞凌MOS场效应管BSC026N08NS5功能概述
1.优化同步整流
2.适用于高开关频率
3.输出电容减少高达44%
4.R DS（on）减少高达44%
优势
1.最高的系统效率
2.降低开关和传导损耗
3.不需要并联
4.功率密度增加
5.低电压过冲
英飞凌MOS场效应管BSC026N08NS5潜在应用
1.电信
2.服务器
3.太阳能
4.低压驱动器
5.轻型电动汽车
6.适配器
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- CMOS场效应管DAC作数控分压器电路图及注意事项-竟业电子
- 衰减器应用中有：CMOS场效应管R2R电阻/双电阻梯式数模转换器；
作用：电流电压转换器外部运算放大器，强制一个电流输出端连接到虚地；
运算放大器能生成预期输出电压，DAC的标准输入是交流或直流都可。
倒相是输入和输出间的正常状态，电路需双电源。如何避免倒相并使用单一电源运行
DAC作数字可编程电阻器，代码更改输入电压和DAC IOUT1输出电流端间的有效电阻。可实现方法如上图所示:
分压器：AD5415，双12位电流输出DAC一半；
A1：运算放大器；
作用：强制IOUT2A输出电流端电压；
此电压符合IOUT1A输出电流端电压；
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- MOS场效应管模型分类-NMOS场效应管模型分析-竟业电子
- MOS场效应管模型分类：
基于阈值电压模型Threshold Voltage-based，如：BSIM3+BSIM4
基于电荷模型Charge-based，如：BSIM6+EKV
BSIM6模型：仿真工具中CMOS工艺标准模型
MOS场效应管模型
数字电路中，用简单开关模型，电阻-电容（RC）模型；
模拟电路中，用不同偏置条件，不同频率模型；
而亚微米电子元器件，得考虑沟道长度调制，速度饱，短沟道效应；
仿真软件中，BSIM模型；
BSIM全称：Berkeley Short-channel IGFET Model
IC设计中，第一步手算，BSIM模型参数数百，因此采用简化模型，如：平方率模型；
但平方率模型局限性：
1.不能包含很多短沟道效应；
2.适用MOS场效应管偏置在强反型区；
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- 英飞凌 BSC034N06NS功能应用参数Datasheet-MOS场效应管-竟业电子
- OptiMOS™ 560V适用于开关模式电源（SMP）的同步整流，如服务器、台式机和平板电脑充电器。此外，这些器件是一个理想的选择，广泛的工业应用，包括电机控制，太阳能微型逆变器和快速开关直流-直流变换器。
英飞凌infineon MOS场效应管BSC034N06NS功能概述
1.优化同步整流
2.比替代设备低40%（开）
3.FOM比同类设备提高40%
4.符合RoHS标准-无卤素
5.MSL1额定值
英飞凌infineon MOS场效应管BSC034N06NS优势
1.最高的系统效率
2.不需要并联
3.功率密度增加
4.降低系统成本
5.极低电压过冲
英飞凌infineon MOS场效应管BSC034N06NS潜在应用
1.同步整流
2.太阳能微型逆变器
3.隔离DC-DC转换器
4.12-48V系统的电机控制
5.Or-ing 开关
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- 英飞凌BSC076N06NS3 G功能应用参数Datasheet-MOS场效应管-竟业电子
- OptiMOS™ 60V是开关电源（SMP）中同步整流的理想选择，例如服务器、台式机和平板电脑充电器。此外，这些器件还可用于广泛的工业应用，包括电机控制、太阳能微逆变器和快速开关DC-DC变换器。
英飞凌MOS场效应管BSC076N06NS3 G功能概述
1.出色的门极充电x R DS（on）产品（FOM）
2.极低导通电阻Rds（on）
3.适用于快速切换应用
4.符合RoHS标准-无卤素
5.MSL1额定值
优势
1.最高的系统效率
2.不需要并联
3.功率密度增加
4.降低系统成本
5.极低电压过冲
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