VMOS场效应管：全称V型槽MOS场效应管，英文名称VMOSFET，简称VMOS管；

因它在栅极与芯片间有二氧化硅绝缘层，包含在绝缘栅型MOS场效应管中。

 

传统MOS场效应管栅极，源极和漏极处于同一水平面芯片上，工作电流沿水平方向流动。

VMOS场效应管并不是，如下图所示：

结构特点：

1.垂直导电性金；

2.属栅极采用V型槽结构；

 

漏极从芯片背面引出，ID不沿芯片水平流动，自重掺杂N+区（源极S）出发，经P沟道流入轻掺杂N-漂移区，垂直向下达漏极D；

流通截面积增大，能通过大电流；

 

VMOS场效应管优势

1.输出功率高（1～250W）

2.跨导的线性好

3.开关速度快

4.继承MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）

5.驱动电流小0.1μA左右

6.耐压高（最高1200V）

7.工作电流大（1.5A～100A）

 

VMOS场效应管应用

1.功率放大器

2.开关电源和逆变器

3.电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）

 

VMOS场效应管在并联中应用

VMOS场效应功率管有高输入阻+大线性放大区+负的电流温度系数

在栅极-源极电压不变，导通电流随VMOS场效应功率管温升高而减小，因此不会存在“二次击穿”现象，导致VMOS场效应功率管损坏