什么是P沟道MOS场效应管

P沟道MOS管=P沟道MOS场效应管

英文全称 positive channel Metal Oxide Semiconductor

别名positive MOS

简称PMOS场效应管 或PMOS管

PS：场效应管=结型场效应管JFET+金属氧化物半导体场效应管MOSFET

MOSFET又称MOS场效应管

 

P沟道MOS场效应管原理

指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS场效应管 

N型硅衬底，载流子（多数电子+少数空穴），源漏区掺杂类型是P型

 

PMOS场效应管工作条件：

在栅上相对于源极加负电压，或是在PMOS场效应管栅上加负电压，在衬底感应是可运动正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，

衬底中感应正电荷数量=PMOS场效应管栅上负电荷的数量

PS:不考虑二氧化硅中存在的电荷影响，

达到强反型，在相对于源端为负的漏源电压作用下，源端正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源极到漏极的源极漏极电流。

同时VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流数值越大。

 

P沟道MOS场效应管开关电路图1如下所示：

 

 

P沟道MOS场效应管开关电路图2如下所示：

NMOS管=高电平，导通

NMOS管=低电平，截断

Drain端接后面电路的接地端；

 

P沟道MOS场效应管开关电路图3

高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。