击穿电压 80年代末MOS场效应管BVDSS漏源击穿电压在400V~1000V已到极至，随着Rds（ON）改善，大封装靠硅晶片面积增大达到效果， PLANER缺点：Rds（ON）迅速上升，Rds（ON）∝BV2.6，功耗增大，MOS场效应管高压发展已经瓶颈。 双极性晶体管 用少子PLANER导电，MOS场效应管易做到高压，饱和开关时，集电极区阻抗电导调制效应，Rce（sat）降低，但是MOS场效应管并没有电导调制效应Rce（sat）∝BV2 。 如下图所示 ZETEX 3rd 晶体的Rce（on） vs BV

MOS场效应管驱动器功耗： 1. MOS场效应管栅极电容充电和放电产生的功耗。 与MOS场效应管栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。 2. MOS场效应管 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。 高电平时和低电平时的静态功耗。 3. MOS场效应管驱动器交越导通（穿通）电流产生的功耗。 MOS场效应管驱动器交越导通而产生的功耗，通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N 沟道场效应管在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。

栅级驱动器封装，对不同开关和不同测试条件，芯片有着相似损坏。 电压=750 V，试验IGBT爆炸+限流器件Rg+DZ损坏； 只看到引脚VDDA线焊位置附近小范围熔化，损坏阶段，栅级过电流通过内置P-MOS场效应管二极管流入 100 μF 电容，过电流，线焊附近区域熔化。 驱动器芯片没有进一步损坏，控制芯片也没有出现进一步的隔离损坏。试验：熔融区域，直接将150 V高压施加于驱动器芯片，控制芯片电隔离通过本次极端过载试验。 如上图1，试验8期间：损坏位置 ADuM4223 #1，输出芯片表面有一小块烧坏，隔离栅没有受损； 上图2，试验9期间：损坏位置ADuM4223 #2，极端电气过载时控制芯片没有损坏，隔离栅没有受损。

MOS场效应管驱动器电气过载测试，即EOS测试； 因此建接近实际情况电路； 此电路含有应用于5 kW~20 kW逆变器的电容和电阻。 用2 W额定功率金属电阻应用于轴向型栅极电阻Rg。 用阻流二极管D1是为了不让电流从高压电路反向进入外部电源。 可反应出实际情况，要组成自举电路，浮动电源至少包括一个整流器即可， 电解电容块充电：是高压电源HV通过充电电阻Rch+开关S1的电路 实施EOS测试 控制输入VIA或VIB，用500μs开启信号； 开启信号通过微隔离传输，会造成短路，并损毁功率晶体管T1。 若在一定情况时，会出现晶体管封装爆炸。

米勒平台时间，GS电容+Cgd电容+Id+Vd+驱动电流Igs+Layout回路大小+板级走线+MOS场效应管内部电感影响GS电流回路。 受影响即Vgs波形容易发生震荡。米勒电容Cgd大小，受漏极电压Vd影响 Vd电压越高，Cgd越大； Vd电压越低，Cgd越小； Vd电压间接影响GS电流 Vd电压高，受米勒电容影响越大。 高压MOS场效应管，Vd越大Id电流越小，即米勒电容大，DS电流小，导通后即容易震荡。 低压MOS场效应管，Vd电压低，米勒电容小，Id电流大，关断易震荡。

英飞凌infineon MOS场效应管IRF3205S优势 宽SOA的平面单元结构 为分销合作伙伴提供最广泛的可用性而优化 符合JEDEC标准的产品鉴定 硅优化应用开关低于100千赫 工业标准表面贴装电源组件 高载流能力封装（高达195A，取决于芯片尺寸） 能被波浪焊接的 D2-Pak封装中的55V单N沟道HEXFET功率MOSFET 为分销合作伙伴提供最广泛的可用性而优化 符合JEDEC标准的产品鉴定 为10V栅极驱动电压优化（称为正常电平） 工业标准表面贴装电源组件 高载流能力封装（高达195A，取决于芯片尺寸） 能被波浪焊接的 英飞凌infineon MOS场效应管 IRF3205S参数   Datasheet下载

MOS场效应管操作期间，漏电感存储能量。 若电感没有正确钳位，MOS场效应管关断时，过初级开关让漏电感通放电，或致雪崩操作，雪崩故障模式：功率半导体元件设计在有限时间内承受一定量雪崩电流，可达雪崩额定值。 功率 MOS场效应管元件物理 半导体元件一般都含物理设计固有寄生元件，MOS场效应管组件：电容器+电阻器+体二极管+ NPN序列（即BJT）

MOS场效应管二极管VF正向电压在规定源电流下，产生体二极管最大正向压降。 如下图所示 p－n结：Tj＝25 ℃ 或Tj＝150 ℃ 二极管典型电流－电压（I-V）特性。 因金属层与p型硅间：接触电阻 > 金属层与n型硅间：接触电阻 P沟道MOS场效应管正向电压VF更高。 高压元件 即>100V最大正向电压=1.6V， 低压元件即<100V最大正向电压值=1.0V 功率耗散 表面温度=25℃ 重要：晶圆温度上升至最高允许值，所允许最大功率耗散。 功率耗散： Tjmax=150℃或175℃ 即元件pn结最高允许温度 元件结到壳热阻RthJC

一个功率MOS场效应管的导通电阻中有多个元件的电阻 功率MOS场效应管内阻 上图字母代表如下： JFET晶体管的电阻RJ 漂移区电阻RD 衬底电阻Rsub 源极扩散电阻Rsource 沟道电阻Rch 积累层电阻RA 连接引线总电阻Rwcml 应用 高压元件：衬底电阻20mΩ-cm晶圆 低压元件：低于5mΩ-cm晶圆 Rwcml源极和漏极金属层与硅片接触面的接触电阻，金属层产生的电阻和引脚框架产生的电阻。 高压元件中，电阻非常小可忽略， 低压元件中，电阻非常大。

MOS场效应管结构中与之相关的阈值电压Vth，它负责在元件中创建导电通道的最小栅极电压，在漏极与源极间允许电流流动，如下图所示，阈值电压高于Vgs栅极驱动器电压数量。t0→t1导通过渡开始点，Id漏极电流=0 Vgs=t1时，即移动到Vth，Id增加， 准阈值电压概念：即为在导通过程中与t1的时间相对应的栅极驱动电压的值。 负温度系数结温度升高，t1量减少。 Lss'上电压发生变化，阈值电压与结温度间的现有关系改变。