MOS场效应管栅极驱动变压器作用 传递以地为参考的栅极激励脉冲，让它通过比较大的势差来调解变动的驱动。可缩放电压。 它操控：低能量，高峰值电流来驱动功率场效应管的栅极。 栅极驱动变压器：被像PWM占空比功能可变的脉冲宽度来驱动，振幅的固定或变动取决于电路排布。 单端电流模式：电路中栅极驱动变压器是交流耦合，磁化部分产生了振幅可变的脉冲。 双端引线安排：像半桥式应用中，用振幅固定的信号来驱动栅极驱动变压器。 所有情况下，栅极驱动变压器在B-H曲线的第一个和第三象限都工作。

MOS场效应管亚阈区电流 MOS场效应管测试都要求进行弱电流的测量。 包括栅极漏电+泄漏电流+温度的关系+衬底对漏极的漏电和亚阈区电流等。 亚阈区电流测试常在晶圆片级进行。 它是表示器件打开和关闭的快慢程度的参数。 如下图所示 测量亚阈区电流经典电路图，4200型半导体特性分析系统配备2个SMU和前置放大器。 用一个SMU来提供恒定的漏-源电压（VDS），并测量产生的漏极电流IDS。 另一个SMU用来扫描栅-源电压（VGS）。 此SMU，应当将钳位电流或测量电流值，设置为固定测量量程上最高期望的栅极电流。

功率MOS场效应管：开关速度快+驱动功率小+功耗低，广泛应用于：小容量变流器。 用功率MOS场效应管桥式拓扑结构，同一桥臂上的两个功率器件在转换过程中，栅极驱动信号会产生振荡，此时功率器件的损耗较大。 振荡幅值较高，将使功率器件导通，造成功率开关管直通而损坏。 解决方法：在MOS场效应管关断时，在栅极施加反压，以削弱振荡的影响； 但反压电路却占用空间，同时增加了成本。

因SiC MOS场效应管具有取代现有的硅超级结SJ晶体管和集成栅双极晶体管IGBT技术的潜力，因此受广泛应用。 1962年Lloyde Wallace获得了专利US3254280A，这是一种碳化硅单极晶体管器件。 它本质上是一个结型场效应晶体管。在P型SiC主体中形成N型沟道区域 源极/漏极触点形成到N型沟道。 栅极结构位于源极和漏极之间，并且相应的栅电极位于SiC衬底的底侧。 目前，UnitedSiC正在生产基于碳化硅的J场效应管 ，为提高性能而基于垂直设计，其中源极和栅极位于SiC裸片的顶部，而漏极位于背面。

MOS场效应管D与S极加电压为VDD 当驱动开通脉冲加到MOS场效应管的G和S极时，输入电容Ciss充电， G和S极电压Vgs线性上升并到达门槛电压VGS（th） Vgs上升到VGS（th）之前漏极电流Id≈0A，没有漏极电流流过，Vds的电压保持VDD不变。 当Vgs到达VGS场效应管(th) 漏极开始流过电流Id，Vgs继续上升，Id逐渐上升，Vds仍然保持VDD。 当Vgs到达米勒平台电压VGS（pl） Id也上升到负载电流最大值ID，Vds的电压开始从VDD下降。

RF 功率 MOS场效应管最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。 以前RF功率MOS场效应管使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。 后期，硅基LDMOS效应管失真小、线性度好、成本低等，成为主流技术。 手机基站中功率放大器的输出功率范围从5W到超过250W，RF功率MOS场效应管是手机基站中成本最高器件。 如：手机基站中RF部分成本约6.5万美元，功率放大器成本达4万美元。 RF 功率 MOS场效应管在无线电通讯领域也有应用，其频率已延伸至低微波段且输出功率可达百W以上，同时也应用于电视，特别是数字电视功率放大器、雷达系统和军事通讯中。

基于CMOS效应管的数字隔离器，提供高CMTI性能，高可靠性，更长的工作寿命。 如Si84xx CMOS场效应管数字隔离器系列满足通用CMTI规格25kV/µs，新一代隔离元器件预计将比现有产品的性能水平提高2倍。 电磁场性能 CMOS效应管数字隔离器优于其他隔离技术。 如Si84xx隔离器，目前市场最高EMI耐受性。 大于300V/m电场抗扰度 大于1000A/m磁场抗扰度 具有最佳共模噪声抑制能力：因数字隔离器通过用差分信号在隔离栅中进行数据传输，成对的窄通带滤波。

MOS场效应管导通电阻受温度影响 功率MOS场效应管开关，温度升高，导通电阻上升。 操作温度范围内 温度上升，MOS场效应管的Rds（ON）以2倍正斜率上升； 如下图所示 约0.64%/度,驱动条件一定 MOS场效应管：通过降低开启门限电压来补偿； 晶体管：温度上升，增益迅速上升，Vce（sat）变化小,硅利用率： MOS场效应管，导通前，需横向开拓电流通路，要半导体硅晶片更多。 BIPOLAR TRANSISTOR最优化，用电流垂直流动

击穿电压 80年代末MOS场效应管BVDSS漏源击穿电压在400V~1000V已到极至，随着Rds（ON）改善，大封装靠硅晶片面积增大达到效果， PLANER缺点：Rds（ON）迅速上升，Rds（ON）∝BV2.6，功耗增大，MOS场效应管高压发展已经瓶颈。 双极性晶体管 用少子PLANER导电，MOS场效应管易做到高压，饱和开关时，集电极区阻抗电导调制效应，Rce（sat）降低，但是MOS场效应管并没有电导调制效应Rce（sat）∝BV2 。 如下图所示 ZETEX 3rd 晶体的Rce（on） vs BV

MOS场效应管驱动器功耗： 1. MOS场效应管栅极电容充电和放电产生的功耗。 与MOS场效应管栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。 2. MOS场效应管 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。 高电平时和低电平时的静态功耗。 3. MOS场效应管驱动器交越导通（穿通）电流产生的功耗。 MOS场效应管驱动器交越导通而产生的功耗，通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N 沟道场效应管在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。