测量小电流方法，测试半导体器件和晶圆片。

如：测试工作包括各种泄漏电流的测量。

另一些对于晶圆片级半导体的弱电流测量则通常与介电材料（氧化物或化合物）的质量有关。常用静电计或源-测量单元，测量弱电流。

二极管的泄漏电流
 

理想状态

二极管反向电流应当为零，但，实际存在反向电流。

衡量二极管质量是在规定的反向偏置电压下的泄漏电流。

如下图所示

 

此电路为236型或6430型SMU来测量二极管的泄漏电流。

236型SMU能够以10fA的分辨率测量电流，并且输出需要的偏置电压。

6430型SMU的分辨率为10aA。

 

源-测量单元还可以测量其它的二极管参数，包括正向电压降和击穿电压。

 

为了避免静电干扰引起的误差，应当将二极管放在屏蔽的测试夹具test fixture内。

该装置还能提供对光的遮蔽，因二极管的结对光敏感。

 

MOS场效应管亚阈区电流

MOS场效应管测试都要求进行弱电流的测量。

包括栅极漏电+泄漏电流+温度的关系+衬底对漏极的漏电和亚阈区电流等。

 

亚阈区电流测试常在晶圆片级进行。

它是表示器件打开和关闭的快慢程度的参数。

如下图所示

测量亚阈区电流经典电路图

 

4200型半导体特性分析系统配备2个SMU和前置放大器。

用一个SMU来提供恒定的漏-源电压（VDS），并测量产生的漏极电流IDS。

另一个SMU用来扫描栅-源电压（VGS）。

 

此SMU，应当将钳位电流或测量电流值，设置为固定测量量程上最高期望的栅极电流。

如下图所示

一个增强型MOS场效应管的IDS对VGS曲线。

此曲线是在4200- SCS型半导体特性测试系统上获得。