MOS场效应管数据表如下图

AOT460栅极电荷特性

 

MOS场效应管D与S极加电压为VDD

当驱动开通脉冲加到MOS场效应管的G和S极时，输入电容Ciss充电，

G和S极电压Vgs线性上升并到达门槛电压VGS（th）

Vgs上升到VGS（th）之前漏极电流Id≈0A，没有漏极电流流过，Vds的电压保持VDD不变。

 

当Vgs到达VGS场效应管(th)

漏极开始流过电流Id，Vgs继续上升，Id逐渐上升，Vds仍然保持VDD。

 

当Vgs到达米勒平台电压VGS（pl）

Id也上升到负载电流最大值ID，Vds的电压开始从VDD下降。

 

米勒平台期间

Id电流维持ID

Vds电压不断降低

 

米勒平台结束时刻

Id电流仍然维持ID

Vds电压降低到一个较低的值

 

米勒平台结束后

Id电流仍然维持ID

Vds电压继续降低

但此时降低的斜率很小

因此降低的幅度也很小

Vds=Id×Rds（on）

 

因此米勒平台结束后，MOS场效应管已经导通。