英飞凌200V OptiMOS™产品是性能领先的基准技术，非常适合48V系统中的同步整流、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）和直流电机驱动的逆变器。 英飞凌MOS管场效应管IPB107N20N3G功能特征 1.行业最低研发水平（开） 2.最低Q g和Q gd 3.世界上最低的FOM RoHS-无卤MSL 1级 英飞凌MOS管场效应管IPB107N20N3G优势 1.最高效率 2.最高功率密度 3.最低的板空间消耗 4.所需的最小设备并联 5.系统成本改进 6.环境友好型 7.易于在产品中设计

MOS管驱动电路布线设计注意事项 1.MOS管驱动线路中环路的面积设计越小越好，如果面积大，引起外来电磁的干扰； 2.为了不让走线电感影响芯片瞬间输出电流， 驱动芯片旁路电容要非常接近驱动芯片VCC，GND两个引脚；MOS管驱动波形错误示范 如下图所示，大部份时间中MOS管有处于工作在线性区，损耗很大，此波形有可能核爆。 原因：布线太长电感太大； 解决方案：重新画板，栅极电阻都不可； 如下图所示：上升下降沿震荡严重，MOS管会瞬间坏掉。

MOS管场效应管的两极，G极与S极间存在结电容，此电容在设计时必须注意。 MOS管场效应管的开关时间越短，损耗越小，在整个开关电源损耗中，开关损耗最大，因此电源的工作效率，取决于MOS管场效应管驱动电路好坏。 MOS管场效应管G极与S极门电压由0升到开启时的电压，这段时间越短，MOS管场效应管开启速度越快，反之，开启电压降至0V越短，关断速度越快，因此MOS管栅极瞬间驱动电流要有足够大。 驱动MOS管场效应管芯片比较： PWM芯片输出和三极管放大后这两种方法有很大的缺陷。 用专有MOS管驱动芯片比较好，如：TC4420，专有驱动芯片有足够的瞬间输出电流+TTL电平输入

在产品设计中，MOS管场效应管短路保护设计非常重要，MOS管场效应管短路保护解决方案有以下几种： 1.加入可恢复保险丝，缺点：成本高 2.选择单片机自带ad采集，优势：成本低；缺点：对元器件本身损害大； 3.选择直接检测单机io口的高低电平；优势：成本低；缺点：对元器件本身损害大； 在产品设计中，MOS管场效应管短路保护设计非常重要，MOS管场效应管短路保护解决方案有以下几种： 1.加入可恢复保险丝，缺点：成本高 2.选择单片机自带ad采集，优势：成本低；缺点：对元器件本身损害大； 3.选择直接检测单机io口的高低电平；优势：成本低；缺点：对元器件本身损害大；

1.MOS管场效应管的输入电阻非常高，栅极与源极之间的电容很小，因此很容易受外界静电或电磁场感应带电，即使少量电荷就会栅极与源极之间的电容上产生高电压U=Q/C，MOS管场效应管就会损坏。 静电：有吸引，排斥的力量或电场存在，与地面产生电位差；即有放电电流。 静电对电子元器件产生的影响： 1)电场或电流破坏元器件绝缘层或导体，即会损坏； 2)电流产生过热或是瞬间电场软击穿，即寿命变短； 3)元器件吸附灰尘，线路间阻抗被改变，即可影响功能和寿命；

场效应管分两种：结型场效应管（junction FET—JFET)  + 金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET），场效应管是场效应晶体管人简称，因数载流子参与导电也被称之为单极型晶体管； 场效应管MOS管的优点： 1.噪声小 2.大动态范围 3.输入电阻高 4.低功耗 5.集成容易 6.不会有二次击穿现象 7.具有很宽的安全工作区域 8.因利用多数载流子导电，温度稳定性较好 9.电压控制电子元器件并用是VGS栅源电压控制ID漏极电流

如果变压器驱动方式或是集成的高边开关，那么就要使用驱动高压MOS管（场效应管） 集成高边驱动器解决方案 优势： 1.方便 2.电路板面积较小 缺点： 1.导通大 2.关断延迟 变压器耦合解决方案 优势： 1.可在很高的压差下工作 2.延迟很低 缺点： 1.需要很多元器件 2.对变压器的运行有比较深入认识 变压器有两个绕组：初级绕组和次级绕组实现隔离，初级和次级的匝数比变化实现电压缩放，因此电压不需要在设计时作调整，隔离是最主要的；

MOS管设计开关电源或是马达驱动电路，我们经常考虑的是MOS管（场效应管）的导通电阻，最大电压及电流因素，但是这并不是完美的设计，甚至在正式设计中是不被接受的。 MOS管（场效应管）种类和结构 MOS管（场效应管）= FET + JFET，可设计成 增强型 + 耗尽型 + P沟道 + N沟道 最常用到的是：增强型的N沟道（NMOS） + 增强型的P沟道（PMOS） 增强型的N沟道（NMOS）优势是：通电阻小 + 容易设计，因此在开关电源，马达驱动 最常用； MOS管（场效应管）有三个管脚，分别是G、S、D,三个管脚之间存在寄生电容,因制造工艺限制，寄生电容会让设计及选择驱动电路时会复杂一些； MOS管（场效应管）的漏极和源极之间有一个寄生二极管，我们把它叫作体二极管，在驱动感性负载（如马达）中此二极管非常重要的，但此二极管在集成电路芯片内部是没有的。

150V OptiMOS™ 与下一个最佳竞争对手相比，R D（开）降低了40%，性能指标（FOM）降低了45%。这种巨大的改进带来了新的可能性，比如从含铅的软件包转移到SMD软件包，或者用一个OptiMOS™有效地替换两个旧部件部分。 英飞凌场效应管BSC520N15NS3 G的功能特征概要 1.卓越的开关性能 2.世界最低研发水平（on） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的栅电荷x R DS（on）产品（FOM） 5.符合RoHS标准的无卤素 6.MSL1等级2

MOS管（场效应管）始终在安全区域，意味着不会炸机； 开关电源中最容易烧坏的电子元器件是MOS管及IGBT，在工作过程中元器件因电压高，电流大，长期功耗大，在过压或是过流时功耗大增，晶圆结温急速上升，散热不到位，此时元器件就有可能损坏或都是炸机； MOS管（场效应管）安全工作区域 炸机其实是与SOA相关； SOA是什么意思 SOA的英文全称是Safe operating area 安全工作区域：由一系列限制条件组成的一个漏源极电压VDS和漏极电流ID的二维坐标图，开关器件正常工作时的电压和电流都不应该超过该限定范围。