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- 英飞凌MOS管场效应管BSC040N08NS5功能参数及应用
- 英飞凌MOS管场效应管BSC040N08NS5特征概要
1.针对同步整流进行优化
2.适用于高开关频率
3.输出电容降低高达44%
4.研发（开）减少高达44%
英飞凌MOS管场效应管BSC040N08NS5优势
1.最高的系统效率
2.降低开关和传导损耗
3.需要较少的并联
4.功率密度增加
5.低压超调
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- MIC4424集成电路IC微芯片功能特征及参数
- MIC4424集成电路IC微芯片特征：
1.可靠的低功耗双极/CMOS/DMOS结构
2.闩锁保护至>500毫安反向电流
3.逻辑输入能承受-5V的摆动
4.高3A峰值输出电流
5.宽4.5V至18V工作范围
6.25ns内驱动1800pF电容7.可靠的低功耗双极/CMOS/DMOS结构
8.闩锁保护至>500毫安反向电流
9.逻辑输入能承受-5V的摆动
10.高3A峰值输出电流
11.宽4.5V至18V工作范围
12.25ns内驱动1800pF电容
13.短<40ns典型延迟时间
14.与电源电压变化一致的延迟时间
15.对应的上升和下降时间
16.独立于电源电压的TTL逻辑输入
17.低等效6pF输入电
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- 英飞凌infineon放大功率：TRENCHSTOP™ IGBT7简易投资组合，附加电流额定值
- 英飞凌infineon在其1200 V TRENCHSTOP上增加了新的电流等级™ IGBT7模块。这就完成了Easy 1B和2B产品组合，它现在提供的电源解决方案在PIM中高达11kw，在六组拓扑中高达22kw，采用了最新的芯片技术。
工程师可以选择：要么通过用IGBT7技术替换IGBT4来增加Easy 2B模块的功率，要么通过在特定情况下用Easy 1B IGBT7替换Easy 2B IGBT4来减少相同功率的占地面积。
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- 英飞凌场效应管MOS管IRFB4110PBF参数应用及Datasheet
- TO-220AB封装100V单N沟道HEXFET功率MOSFET
英飞凌场效应管MOS管IRFB4110PBF应用
1.开关电源中的高效同步整流
2.不间断电源
3.高速电源切换
4.硬开关和高频电路
英飞凌场效应管MOS管IRFB4110PBF优势
1.改进的栅极、雪崩和动态dv/dt
2.坚固性
3.充分表征电容和雪崩
4.SOA
5.增强体二极管dV/dt和dI/dt能力
6.无铅
7.符合RoHS，无卤素
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- 英飞凌MOS管场效应管IRF100B201参数应用及Datasheet
- 英飞凌MOS管场效应管IRF100B201应用
1.刷电机驱动应用
2.无刷直流电机驱动应用
3.电池供电电路
4.半桥和全桥拓扑
5.同步整流器应用
6.共振模式电源
7.或ing和冗余电源开关
8.DC/DC和AC/DC转换器
9.直流/交流逆变器
英飞凌MOS管场效应管IRF100B201优势
1.改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性
2.完全特征化的电容和雪崩SOA
3.增强体二极管dV/dt和dI/dt能力
4.无铅、符合RoHS、无卤素
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- 电路设计：MOS管场效应管与三极管比较
- MOS管场效应管与三极管作为开关应用：
1.考虑成本(价格)：MOS管场效应管 （贵）> 三极管
2.驱动能力（应用）：
MOS管场效应管应用：电源开关，高频高速电路，大电流开关电路，基极或漏极控制电流比较敏感处；
三极管应用：数字电路开关控制；
3.功耗：MOS管场效应管 < 三极管 (损耗大)
4.功能性质：MOS管场效应管电压控制，三极管电流控制；
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- 英飞凌MOS管场效应管IPW60R060P7功能参数及应用
- 结合高能效和易用性的优化超结MOS管
600V CoolMOS™ P7超结MOS管是600V CoolMOS的后继产品™ P6系列。它继续在设计过程中平衡对高效性和易用性的需求。最佳的R onxA和CoolMOS固有的低栅电荷（Q G）™ 第七代平台保证了其高效率。
英飞凌MOS管场效应管IPW60R060P7功能特征概要
效率
•600V P7支持出色的FOM R DS（on）xE oss和R DS（on）xQ G
英飞凌MOS管场效应管IPW60R060P7易用性
1.静电放电强度≥2kV（HBM 2级）
2.集成栅极电阻器
3.坚固的体二极管
4.在通孔和表面安装包中有广泛的产品组合
5.提供标准级和工业级零件
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- 英飞凌MOS管场效应管IPT015N10N5功能参数及应用
- 英飞凌MOS管场效应管IPT015N10N5功能特征概要
1.针对同步整流进行优化
2.适用于高开关频率
3.输出电容降低高达44%
4.研发投入比上一代产品减少43%
英飞凌MOS管场效应管IPT015N10N5优势
1.最高的系统效率
2.降低开关和传导损耗
3.需要较少的并联
4.功率密度增加
5.低压超调
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- 开关电源中常用MOS管场效应管驱动电路图
- 电源IC直接驱动MOS管场效应管
图1
注意事项：
1.注意电源IC手册中的最大驱动峰值电流
2.在选择驱动电阻阻值时，必须关注MOS管场效应管寄生电容大小，MOS管场效应管导通时，电源IC的驱动峰值电流及MOS管场效应管导通速度，驱动能力,上升沿高频振荡,MOS管场效应管开关速度等
电源IC驱动能力不足时
电源IC内部驱动能不足时，但 MOS管寄生电容较大，这时就要增加驱动能力：
常用方法：图腾柱电路，如下图虚框。
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- 如何选择MOS管场效应管驱动电路
- 如何选择MOS管场效应管驱动电路呢？
有以下几点：
1.驱动电路的结构必须简损耗小及约可靠
2.视情况施加隔离。
3.开关导通期间，驱动电路必须保证MOS管场效应管栅极与源极之间电压保持稳定且可靠导通。
4.关断瞬间驱动电路时，为了能让开关管快速关断，要提供一个低阻抗通路供MOS管场效应管栅极与源极之间的电容电压快速泄放。
5.开关管开通时的瞬间，驱动电路必须提供足够大充电电流使MOS管场效应管栅极与源极之间的电压迅速上升到所需值，来保证开关管能快速，同时开通时不能有上升沿的高频振荡。
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