电源IC直接驱动MOS管场效应管

注意事项：

1.注意电源IC手册中的最大驱动峰值电流

2.在选择驱动电阻阻值时，必须关注MOS管场效应管寄生电容大小，MOS管场效应管导通时，电源IC的驱动峰值电流及MOS管场效应管导通速度，驱动能力,上升沿高频振荡,MOS管场效应管开关速度等

图1
 

电源IC驱动能力不足时

电源IC内部驱动能不足时，但 MOS管寄生电容较大，这时就要增加驱动能力：

常用方法：图腾柱电路，如下图虚框。

作用：

1.提升电流提供能力

2.快速完成对栅极输入电容电荷的充电过程

3.导通所需时间增加，但关断时间缩短，MOS管场效应管能快速开通，也不会引起上升沿高频振荡

 

图2

 

驱动电路加速MOS管场效应管关断时间

为了让开关管能快速关断，关断瞬间，驱动电路提供相对低阻抗通路，来供MOS管场效应管栅极与源极间电容电压快速泄放，为此驱动电阻会并联一个电阻+一个二极管（快恢复二极管），关断时间缩短，减小关断损耗，如下图Rg2防止关断电流过大，把电源IC损坏。

 

图3

 

加速MOS管场效应管关断时间

图腾柱电路有加快关断作用，电源IC驱动能力足，对上面图2进行修改完善如图4可缩短MOS管场效应管关断时间。

三极管泄放栅源极间电容电压，Q1发射极没有电阻，PNP三极管导通时，栅极与源极间电容短接，以达到用最短时间放完电荷，减小关断时交叉损耗。

修改后的优势：栅极与源极间电容上电荷泄放时，电流不经过电源IC，提高可靠性。

 

图4

 

高端MOS管场效应管驱动（变压器驱动），如下图5 ，R1抑制PCB板上寄生电感与C1形成LC振荡，C1是隔开直流，通过交流，防止磁芯饱和。

 

图5