英飞凌 infineon在其1200 V TRENCHSTOP上增加了新的电流等级™ IGBT7模块。这就完成了Easy 1B和2B产品组合，它现在提供的电源解决方案在PIM中高达11kw，在六组拓扑中高达22kw，采用了最新的芯片技术。
 

工程师可以选择：要么通过用IGBT7技术替换IGBT4来增加Easy 2B模块的功率，要么通过在特定情况下用Easy 1B IGBT7替换Easy 2B IGBT4来减少相同功率的占地面积。
 

英飞凌 infineon与之前推出的TRENCHSTOP IGBT7 Easy模块一样，新的电流额定值完全符合工业驱动器的设计需要。

与前几代相比，TRENCHSTOP IGBT7芯片提供了更高的功率密度，大大降低了损耗，并为驱动器应用提供了高水平的可控性。所有采用这种新芯片技术的模块都设计成与前一代TRENCHSTOP IGBT4模块兼容的反向管脚。这有助于制造商缩短任何新逆变器平台的设计周期。

英飞凌 infineon基于新的微图形沟道技术，沟道顶IGBT7芯片的静态损耗比IGBT4芯片低得多，其导通电压降低了20%。这在应用中带来了显著的损耗降低，特别是对于通常在中等开关频率下工作的工业驱动器。电源模块的最大允许过载连接温度为175°C。此外，它们被设计为软开关。