650V CoolMOS™ CFD2 更换 为600V CoolMOS™ CFD7 650V CoolMOS™ CFD2是英飞凌第二代市场领先的高压CoolMOS™ 集成快体二极管的mosfet。CFD2装置是600V CFD的后继产品，提高了能效。较软的换相行为，因此更好的电磁干扰行为，使该产品明显优于竞争对手的部分。 英飞凌MOS管场效应管IPB65R190CFD功能特征概要 1.650V技术，集成快速体二极管 2.硬换相期间的有限电压超调 3.与600V CFD技术相比，Qg显著降低 4.较紧的RDS（开）max到RDS（开）typ窗口 5.易于设计 6.与600V CFD技术相比，价格更低 英飞凌MOS管场效应管IPB65R190CFD优势 1.由于重复换向体二极管的低Qrr而导致的低开关损耗 2.自限di/dt和dv/dt 3.低生活质量 4.减少开启和开启延迟时间

场效应管MOS管放大器原理 MOS管有三端：输入端+输出端+第三端，可把第三端固定为一定的电位，即形成三种放大电路。 三种放大电路：源极接地+栅极接地+漏极接地 原理：源极+栅极+漏极，其中一个极接到固定电位上即可形成；

ICE3PCS02G是用于有源CCM功率因数校正转换器的新型8针宽输入范围（85VAC至265VAC）控制器IC。与第一代和第二代ICE1PCSOX和ICE2PCSOX相比，第三代功率因数校正电路的最低内部基准电压为2.5V，集成了数字控制电压环，还具有0.2V的低峰值电流限制、21kHz到100kHz的可调门极开关频率范围以及能够与外部频率范围从50kHz到100kHz。它们现在能够在所有输入电压范围内实现95%的满负载效率。 英飞凌MOS管场效应管ICE3PCS02Ga功能特征概要 1.易于使用，几乎没有外部组件 2.平均电流控制 3.集成数字电压环补偿 4.外部电流补偿，提高用户灵活性 5.可编程开关（20kHZ-100kHz） 6.外部同步（50kHz~100kHz） 7.直接感应，带滞后的输入褐化检测 8.最大占空比95%（典型值） 9.微调内部参考电压（2.5V±1.2%） 10.V cc欠压锁定 11.低峰值电流限制阈值 12.开环检测 13.输出欠压检测 14.增强动态响应 15.符合IEC1000-3-2的D级规范

CE2PCS0x/G是采用BiCMOS技术的第二代连续导通模式PFC控制器。与第一代ICE1PCS01/02相比，新集成电路具有较低的3V内部基准电压，还具有Vcc工作范围宽、内部振荡器改进和附加的直接体电容过电压保护等优点。 英飞凌MOS管场效应管ICE2PCS01G功能特征概要 1.易于使用，几乎没有外部组件 2.支持范围广泛 3.平均电流控制 4.外部电流和电压回路补偿，提高用户灵活性 5.可编程操作/开关频率（50kHz-250kHz） 6.125kHz时95%（25°C时）的最大占空比 7.微调内部参考电压（25°C时3V+2%） 8.VCC欠压锁定 9.逐周期峰值电流限制

ICE2PCS0x/G是采用BiCMOS技术的第二代连续导通模式PFC控制器。与第一代ICE1PCS01/02相比，新集成电路具有较低的3V内部基准电压，还具有Vcc工作范围宽、内部振荡器改进和附加的直接体电容过电压保护等优点。 英飞凌MOS管场效应管ICE2PCS02G功能特征概要 1.易于使用，几乎没有外部组件 2.支持范围广泛 3.平均电流控制 4.外部电流和电压回路补偿，提高用户灵活性 5.可编程操作/开关频率（50kHz-250kHz） 6.125kHz时95%（25°C时）的最大占空比 7.微调内部参考电压（25°C时3V+2%） 8.VCC欠压锁定 9.逐周期峰值电流限制 10.输出过压保护 11.开环检测 12.增强动态响应 13.短启动（软启动）持续时间 14.满足IEC 1000-3-2的D级要求 15.软过电流保护

ICE2PCS0x/G是采用BiCMOS技术的第二代连续导通模式PFC控制器。与第一代ICE1PCS01/02相比，新集成电路具有较低的3V内部基准电压，还具有Vcc工作范围宽、内部振荡器改进和附加的直接体电容过电压保护等优点。 英飞凌MOS管场效应管ICE2PCS02G功能特征概要 1.易于使用，几乎没有外部组件 2.支持范围广泛 3.平均电流控制 4.外部电流和电压回路补偿，提高用户灵活性 5.可编程操作/开关频率（50kHz-250kHz） 6.125kHz时95%（25°C时）的最大占空比 7.微调内部参考电压（25°C时3V+2%） 8.VCC欠压锁定 9.逐周期峰值电流限制 10.输出过压保护 11.开环检测 12.增强动态响应 13.短启动（软启动）持续时间 14.满足IEC 1000-3-2的D级要求 15.软过电流保护

驱动电路加速场效应管MOS管关断时间 MOS管：用变压器驱动即在 高端驱动或安全隔离时。 R1抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1隔开直流，通过交流防止磁芯饱和。场效应管MOS管开关电源电路图（4） 小功率驱动电路 应用：要求隔离开关设备 优势：结构简单，成本低，开关速度快，驱动能力强。 注意事项：串接小电阻(0.5～1Ω)用于限流，防止两个MOS管直通。

快速双通道5A栅极驱动器为驱动标准和超结mos管场效应管以及GaN功率开关器件而优化。 输入信号是低电压TTL和3.3V CMOS兼容，具有高达+20V和低至-10V直流的极宽电压处理能力。在输入引脚处处理-10V直流电的独特能力可保护设备不受地面弹跳的影响。两个输出端都能利用一个真正的轨对轨输出级吸收和产生一个5A电流，这确保极低的阻抗0.7Ω到正极，0.55Ω到负极分别是铁轨。 出色的信道间延迟匹配，典型。1ns，通过两个通道的并联实现源和汇容量的无风险倍增，峰值可达10A。工业标准管脚和不同逻辑输入/输出配置的结合保证了高度的灵活性并缩短了研发时间。栅极驱动器有三种封装选项：PG-DSO-8-pin、PG-VDSON-8-pin和PG-TDSSO-8-pin（体积小，与DSO-8相比热性能提高）。 英飞凌MOS管场效应管2EDN7524F功能特征概要 1.5A峰值源/汇电流 2.5ns（典型）上升/下降时间 3.<10ns传播延迟容限 4.8V UVLO选项 5.19 ns（典型）传播延迟，用于控制输入和启用

英飞凌MOS管场效应管BSC040N08NS5特征概要 1.针对同步整流进行优化 2.适用于高开关频率 3.输出电容降低高达44% 4.研发（开）减少高达44% 英飞凌MOS管场效应管BSC040N08NS5优势 1.最高的系统效率 2.降低开关和传导损耗 3.需要较少的并联  4.功率密度增加 5.低压超调

MIC4424集成电路IC微芯片特征： 1.可靠的低功耗双极/CMOS/DMOS结构 2.闩锁保护至>500毫安反向电流 3.逻辑输入能承受-5V的摆动 4.高3A峰值输出电流 5.宽4.5V至18V工作范围 6.25ns内驱动1800pF电容7.可靠的低功耗双极/CMOS/DMOS结构 8.闩锁保护至>500毫安反向电流 9.逻辑输入能承受-5V的摆动 10.高3A峰值输出电流 11.宽4.5V至18V工作范围 12.25ns内驱动1800pF电容 13.短<40ns典型延迟时间 14.与电源电压变化一致的延迟时间 15.对应的上升和下降时间 16.独立于电源电压的TTL逻辑输入 17.低等效6pF输入电