英飞凌MOS管场效应管2EDN7524F功能参数及应用Datasheet

   时间:2020/5/7      阅读:3077   关键词:场效应管(MOS管)

快速双通道5A栅极驱动器为驱动标准和超结mos管场效应管以及GaN功率开关器件而优化。

输入信号是低电压TTL3.3V CMOS兼容,具有高达+20V和低至-10V直流的极宽电压处理能力。在输入引脚处处理-10V直流电的独特能力可保护设备不受地面弹跳的影响。两个输出端都能利用一个真正的轨对轨输出级吸收和产生一个5A电流,这确保极低的阻抗0.7Ω到正极,0.55Ω到负极分别是铁轨。

出色的信道间延迟匹配,典型。1ns,通过两个通道的并联实现源和汇容量的无风险倍增,峰值可达10A。工业标准管脚和不同逻辑输入/输出配置的结合保证了高度的灵活性并缩短了研发时间。栅极驱动器有三种封装选项:PG-DSO-8-pinPG-VDSON-8-pinPG-TDSSO-8-pin(体积小,与DSO-8相比热性能提高)。

 

英飞凌MOS场效应管2EDN7524F功能特征概要

1.5A峰值源/汇电流

2.5ns(典型)上升/下降时间

3.<10ns传播延迟容限

4.8V UVLO选项

5.19 ns(典型)传播延迟,用于控制输入和启用

6.稳健性

7.输出对反向电流具有鲁棒性

8.2个独立通道

9.<1ns通道对通道未匹配

10行业标准插针和包装

 

英飞凌MOS场效应管2EDN7524F优势

1.米勒高原快速过渡

2.精确计时

3.快速可靠的MOSFET关断,独立于控制IC

4.增强了GND反弹的稳健性

5.节省开关二极管

6.选择通过2个通道的真正并发切换来增加驱动电流

7.直行设计升级

 

英飞凌MOS场效应管2EDN7524F应用

1.开关电源

2.DC-DC转换器

3.电机控制

4.太阳能逆变器

5.工业

 

英飞凌MOS场效应管2EDN7524F参数   Datasheet下载

英飞凌MOS管场效应管2EDN7524F参数

 

 

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