开关电源电路：是根据场效应管MOS管栅极G控制源极S，漏极D的通断原理形成的电路。

场效应管MOS管按结构分为：N沟道 + P沟道，即开关电路图也分两种情况。

 

P沟道开关电路

PMOS场效应管特性：Vgs  < 一定值 导通，应用：源极接VCC，高端驱动。

注意事项：

Vgs = 栅极G—源极S间电压

PMOS管场效应管导通内阻大，应用：低功率时

 

N沟道开关电路

NMOS场效应管特性：Vgs  > 一定值 导通   应用：低端驱动

注意事项：

Vgs =栅极G—源极S电压差

NMOS作高端驱动：漏极D , 源极S 导通时，电势：D = S ，电压: G >S  G > D  漏极D，源极S即可继续导通。

接地：漏极D ，源极S

 

 

场效应管MOS管开关电源电路图（2）

 

 

场效应管MOS管开关电源电路图（3）

 

上图：NMOS管 高电平：导通，低电平：截断开，Drain端接地；

下图：PMOS管 高电平：断开，低电平：导通，Drain端接VCC;

 

 

驱动电路加速场效应管MOS管关断时间

MOS管：用变压器驱动即在 高端驱动或安全隔离时。

R1抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1隔开直流，通过交流防止磁芯饱和。

 

 

场效应管MOS管开关电源电路图（4）

小功率驱动电路

应用：要求隔离开关设备

优势：结构简单，成本低，开关速度快，驱动能力强。

注意事项：串接小电阻(0.5～1Ω)用于限流，防止两个MOS管直通。

 

 

下图：功率MOS管电压型控制元器件，MOS管存在结电容，关断通过结电容会在栅源两端产生干扰电压，互补驱动电路中关断回路阻抗小，关断速度快，无法提供负压，抗干扰性差

解决方案：在驱动电路增加一级有V1、V2、R组成电路，产生负压。