英飞凌MOS管场效应管IPB65R190CFD功能参数及应用

   时间:2020/11/25      阅读:2508   关键词:场效应管

650V CoolMOS™ CFD2 更换 为600V CoolMOS™ CFD7

650V CoolMOS™ CFD2是英飞凌第二代市场领先的高压CoolMOS™ 集成快体二极管的mosfetCFD2装置是600V CFD的后继产品,提高了能效。较软的换相行为,因此更好的电磁干扰行为,使该产品明显优于竞争对手的部分。

 

英飞凌MOS场效应管IPB65R190CFD功能特征概要

1.650V技术,集成快速体二极管

2.硬换相期间的有限电压超调

3.600V CFD技术相比,Qg显著降低

4.较紧的RDS(开)maxRDS(开)typ窗口

5.易于设计

6.600V CFD技术相比,价格更低

 

英飞凌MOS场效应管IPB65R190CFD优势

1.由于重复换向体二极管的低Qrr而导致的低开关损耗

2.自限di/dtdv/dt

3.低生活质量

4.减少开启和开启延迟时间

5.杰出的CoolMOS™ 质量

 

英飞凌MOS场效应管IPB65R190CFD应用

1.电信

2.服务器

3.太阳能

4.HID灯镇流器

5.LED照明

6.情绪化

 

英飞凌MOS场效应管IPB65R190CFD参数     Datasheet(pdf)下载

英飞凌MOS管场效应管IPB65R190CFD参数

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