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- 英飞凌MOS管场效应管IPP90R1K2C3功能参数应用及Datasheet
- 更换CoolMOS™ C3是CoolMOS™ P7
900伏CoolMOS™ C3是英飞凌的第三系列CoolMOS™ 2001年进入市场。C3是投资组合中的“主力军”。
英飞凌MOS管场效应管IPP90R1K2C3功能特征概要
1.低比导通电阻（RDS（on）*A）
2.400V时输出电容（Eoss）储能非常低
3.低栅电荷（Qg）
4.经现场验证的CoolMOS™ 质量
5.CoolMOS™ 技术自1998年以来，英飞凌一直大量生产
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- pwm驱动场效应管MOS管开关电路特性
- 特殊负载H桥里面双MOS驱动 + 专用驱动芯片(IR2103) + 单个MOS管普通驱动 （增强型NMOS管+电阻限流组成）
MOS管内部有寄生电容，加速电容放电：限流电阻 + 反向并联二极管场效应管NMOS驱动电路特性：
1.gate电压峰值限制；
2.输入+输出电流限制；
3.低端电压+PWM驱动高端MOS管；
4.小幅度PWM信号驱动高gate电压MOS管；
5.NMOS管不需要PWM信号反相，可前置反相器规避；
6.低功耗：用合适电阻即可；
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- 英飞凌MOS管场效应管BSC027N04LSG功能参数应用及Datasheet
- OptiMOS™ 对于服务器和台式机上的开关电源（SMP），40V是同步整流的最佳选择。此外，这些器件还可用于广泛的工业应用，包括电机控制和快速开关DC-DC变换器。
英飞凌MOS管场效应管BSC027N04LSG特征概要
1.出色的栅电荷x R DS（on）产品（FOM）
2.非常低的导通电阻Rds（开）
3.非常适合快速切换应用
4.符合RoHS-无卤素
5.MSL1级
英飞凌MOS管场效应管BSC027N04LSG优势
1.最高的系统效率
2.需要较少的并联
3.功率密度增加
4.降低系统成本
5.超低电压
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- 英飞凌场效应管MOS管 IPW60R037P7 功能参数应用及Datasheet
- 结合高能效和易用性的优化超结mosfet
600V CoolMOS™ P7超结MOSFET是600V CoolMOS的后继产品™ P6系列。它继续在设计过程中平衡对高效性和易用性的需求。最佳的R onxA和CoolMOS固有的低栅电荷（Q G）™ 第七代平台保证了其高效率。
英飞凌场效应管MOS管 IPW60R037P7 功能特征概要
效率
600V P7支持出色的FOM R DS（on）xE oss和R DS（on）xQ G
易用性
1.静电放电强度≥2kV（HBM 2级）
2.集成栅极电阻器
3.坚固的体二极管
4.在通孔和表面安装包中有广泛的产品组合
5.提供标准级和工业级零件
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- 场效应管MOS管栅极故障预防及自开通预防
- 栅极故障预防
场效应管MOS管漏栅电容可能出现寄生开通，即自开通，关断后，源极—漏极间形成陡峭dv/dt。
生成的电流从漏栅电容→栅极，会让栅极电阻器产生电压降提高栅极电压。
可能发生自开通：
1.dv/dt斜率陡峭非常，栅源与栅漏两者的电容比率为场效应管MOS管栅极施加电压。
2.二极管反向恢复期间对处于关断状态MOS管施加快速变化电压
自开通预防
1.栅极—源极间增加电容器；
2.关断栅极电压驱动至负值 < Vth;
3.开关电子元器件用米勒箝位电路，场效应管MOS管栅极—源极间通路短路（短路方法：栅极—源极间加MOS管）
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- MOS管导通特性MOS管损耗及MOS管驱动分析
- MOS管的特性
MOS管分两种：NMOS管 + PMOS管
NMOS管特性
Vgs > 一定值时导通，用于源极接地，栅极电压达到一定电压，如：4V，10V
应用：低端驱动
PMOS管特性
Vgs < 一定值时导通，用于源极接VCC；
应用：高端驱动
缺点：因导通电阻大，成本高，替换种类少。
PS：在高端驱动中，NMOS管被使用到的比例比PMOS管高。
MOS管最常应用于：设计开关电源 ， 马达驱动电路；
使用MOS管时主要考虑的因素：导通电阻，最大电压等，最大电流。
MOS管开关损耗
导通后即有导通电阻，DS间电流经过，两端有电压，电阻会消耗能量，即导通损耗；
一般我们通过选择导通电阻小的MOS管。
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- 英飞凌MOS管场效应管IPB65R110CFDA功能参数应用及Datasheet
- 650V，N-Ch，最大110 mΩ，汽车用MOSFET，D2PAK，CoolMOS™ CFDA
650VCoolMOS™ CFDA超结（SJ）MOSFET是英飞凌第二代市场领先的汽车用合格高压CoolMOS™ 功率mosfet。除了汽车工业所要求的高质量和高可靠性的众所周知的特性外，650V CoolMOS™ CFDA系列还提供集成的快速体二极管。
英飞凌MOS管场效应管IPB65R110CFDA特征概要
1.市场上首个650V汽车用集成快速体二极管技术
2.硬换相期间的有限电压超调——自限di/dt和dv/dt
3.低栅极电荷值Q g
4.重复换向体二极管的低Q rr和低Q oss
5.减少开启和开启延迟时间
6.符合AEC Q101标准
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- MOS管场效应管驱动电阻器的选择及解决方案
- 减少损耗方法：
VGS增大，减小电子元器件应用时电流水平下电阻，即降低稳态损耗；
VGS值高，使高频开关下驱动损耗与总损耗比率增大，因此选择合适的MOS管及栅极驱动电压很重要，常用导通电压Vth：4V，10V
栅极电阻器如何选择
MOS管场效应管栅极端子上连接电阻器
此栅极电阻器作用：抑制尖峰电流 + 减少输出振铃
栅极电阻器大：降低开关速度，即会使功率损耗增大+性能降低+发热；
栅极电阻器小：提高开关速度，即会引发电压尖峰和振荡 + 电子元器件损坏或故障；
解决方案：
1.选择最佳栅极电阻器；
2.调节栅极电阻器值，改善开关速度；
3.用不同栅极电阻器开通或关断MOS管场效应管；
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- 英飞凌MOS管场效应管BSC067N06LS3 G 功能参数应用及Datasheet
- OptiMOS™60V是开关电源（SMP）中同步整流的完美选择，如服务器、台式机和平板电脑充电器中的同步整流。此外，这些器件还可用于广泛的工业应用，包括电机控制、太阳能微型逆变器和快速开关DC-DC变换器。
英飞凌MOS管场效应管BSC067N06LS3 G特征概要
1.出色的栅电荷x R DS（on）产品（FOM）
2.非常低的导通电阻Rds（开）
3.非常适合快速切换应用
4.符合RoHS-无卤素
5.MSL1级
英飞凌MOS管场效应管BSC067N06LS3 G优势
1.最高的系统效率
2.需要较少的并联
3.功率密度增加
4.降低系统成本
5.超低电压
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- 场效应管CMOS管静电及过压注意事项及解决方案
- 什么是CMOS管场效应管
英文全称Complementary Metal Oxide Semiconductor
CMOS是一种技术（制造大规模集成电路芯片的技术）
用CMOS技术制造出芯片，即电脑主板上可读写RAM芯片，它用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后数据。
过压引起：过大电流+金属化
运算放大器输出S端或D端电压源，电流 ≤ 运算放大器直流输出电流限值，但瞬态感应电流可能损坏CMOS电子元器件，过压保护是必须的。
方案1：在电源供电引脚串联二极管，以防止寄生晶体管导通；
注意事项：9S端或D端）电压 > 电源电压，CR1 +/或CR2反向偏置，基极驱动电路不能使晶体管导通；每一个CMOS管电子元器件有对应二极管保护，有效但也有失效时；
方案2：在开关一端连接到一个负电位（充电电容）+另一端电压超过VDD；
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