场效应管MOS管栅极—源极间外接齐纳二极管，可防止静电+放电+栅极尖峰电压。

注意事项：齐纳二极管电容可能有轻微不好影响

 

 

栅极故障预防

场效应管MOS管漏栅电容可能出现寄生开通，即自开通，关断后，源极—漏极间形成陡峭dv/dt。

生成的电流从漏栅电容→栅极，会让栅极电阻器产生电压降提高栅极电压。

 

可能发生自开通：

1.dv/dt斜率陡峭非常，栅源与栅漏两者的电容比率为场效应管MOS管栅极施加电压。

2.二极管反向恢复期间对处于关断状态MOS管施加快速变化电压

 

自开通预防

米勒箝位电路如下：

 

 

1.栅极—源极间增加电容器；

2.关断栅极电压驱动至负值 < Vth;

3.开关电子元器件用米勒箝位电路，场效应管MOS管栅极—源极间通路短路（短路方法：栅极—源极间加MOS管）