场效应管MOS管驱动：

特殊负载H桥里面双MOS驱动 + 专用驱动芯片(IR2103) + 单个MOS管普通驱动 （增强型NMOS管+电阻限流组成）

MOS管内部有寄生电容，加速电容放电：限流电阻 + 反向并联二极管

 

 

应用场效应管NMOS管驱动电路图

如上图所示：

Vl=低端电源   Vh=高端电源

必要条件Vl < Vh

Q1 + Q2 组成反置图腾柱:

即实现隔离 + 驱动管Q3和Q4不能同时导通

R2+R3提供PWM电压基准，要让电路工作时在PWM信号波形比较陡直位置，可改变此基准即可实现。

 

Q3+Q4提供驱动电流：

导通 Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce压降。

此时Vce=0.3V

 

R5+R6反馈电阻:

应用：对gate电压采样；

采样后：电压通过Q5对Q1，Q2基极产生强烈负反馈，因此把gate电压限制在有限数值内。此数值通过R5和R6调节。

1.R1提供对Q3和Q4的基极电流限制；

2.R4提供对MOS管gate电流限制；

3.Q3,Q4的Ice限制；

4.可在R4并联加速电容

 

上图场效应管NMOS管驱动电路特性：

1.gate电压峰值限制；

2.输入+输出电流限制；

3.低端电压+PWM驱动高端MOS管；

4.小幅度PWM信号驱动高gate电压MOS管；

5.NMOS管不需要PWM信号反相，可前置反相器规避；

6.低功耗：用合适电阻即可；

 

应用场效应管PMOS管驱动电路图如下：