英飞凌infineon CoolSiC™ MOSFET 1700 V贴片电子元器件为高压辅助电源提供了最佳的效率和降低的复杂性

英飞凌infineon补充其CoolSiC™ 提供另一种电压等级的MOSFET。今年早些时候，该公司在投资组合中增加了650V，现在，该公司正推出1700V级，采用其专有的trench半导体技术。最大限度地利用碳化硅（SiC）的强大物理特性，这确保了新的1700V表面安装器件（SMD）提供了卓越的可靠性，以及低开关和传导损耗。

CoolSiC MOSFETs 1700v的目标是三相转换系统中的辅助电源，如电机驱动、可再生能源、充电基础设施和HVDC系统。

这种低功耗应用通常工作在100W以下。在这种情况下，设计者通常更喜欢单端反激拓扑。随着新的CoolSiC MOSFETs 1700v在SMD封装，这种拓扑现在甚至启用了直流连接辅助电路高达1000伏直流输入电压。采用单端反激变换器的高效率、高可靠性的辅助变换器可以在三相功率变换系统中实现。这导致最小的足迹和减少的材料清单。

英飞凌infineon工业功率控制部门高级主管Peter Friedrichs博士说：“CoolSiC MOSFET的沟槽技术在1700伏电压下可以平衡工作性能和可靠性。”。“它结合了碳化硅的最佳性能：低损耗，占地面积小，采用高压贴片封装。这有助于我们的客户显著降低其辅助电源的复杂性”。

1700V阻断电压消除了有关过电压裕度和电源可靠性的设计问题。CoolSiC沟道技术的特点是这种电压等级的晶体管具有最低的器件电容和栅极电荷。结果是，与目前最先进的1500伏硅mosfet相比，功耗降低了50%以上，效率提高了2.5%。与其他1700个sicmosfet相比，效率提高了0.6%。低损耗使紧凑型SMD组件具有自然对流冷却而无需散热器。

新的1700v CoolSiC沟道mosfet被优化为具有+12v/0v栅源电压的反激拓扑，与普通的PWM控制器兼容。因此，它们不需要门驱动器IC，并且可以直接由反激控制器操作。接通电阻额定值为450 mΩ、650 mΩ或1000 mΩ。新的7引线DãPAK SMD封装提供超过7毫米的延长爬电距离和间隙距离。这样，它就满足了通常1700伏的应用要求和PCB规范，最大限度地减少了设计中的隔离工作。