场效应管CMOS管静电及过压注意事项及解决方案

   时间:2020/5/21      阅读:2297   关键词:CMOS管

什么是CMOS场效应管

英文全称Complementary Metal Oxide Semiconductor

CMOS是一种技术(制造大规模集成电路芯片的技术)

CMOS技术制造出芯片,即电脑主板上可读写RAM芯片,它用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后数据。

 

场效应管CMOS管静电

V=q/C=1kV/nC/pF

静电荷积累形成静电电压可击穿栅极与衬底之间起绝缘作用的氧化物(或氮化物)薄层

正常工作时,危害电路很小;

插人插座时CMOS管电子元器件与插座间可能存在大量静电荷

如果插人插座的第一个引脚没有连接齐纳二极管保护电路,栅极上电荷会穿过氧化层释放而损坏电子元器件。

 

场效应管CMOS管静电处理:

1.接触操作的人,接塑料接地带与系统电源地相连

2.电路插电路板后,移动电路板时应保持电路板接地或屏蔽

3.CMOS管时,泡沫材料+电源接地,释放掉积累电荷

4.CMOS管电子元器件存放:选择导电泡沫材料

模拟CMOS管电路,安全操作:< 电源电压模拟  数字电压 在电子元器件上,电源电压在额定范围内,必须有实施承受过压

 

CMOS输出开关单元电路图

场效应管CMOS管静电及过压注意事项及解决方案

 

等效二极管电路图

S端或D端的 模拟输电压 > 电源电压

不同二极管结产生寄生晶体管会处于正向偏置模式寄生NPNPNP晶体管形成SCR可控硅整流器电路

场效应管CMOS管静电及过压注意事项及解决方案

 

CMOS开关中的寄和晶体管益沦应电路图如下:

场效应管CMOS管静电及过压注意事项及解决方案

 

过压引起过大电流+金属化

运算放大器输出SD端电压源电流  运算放大器直流输出电流限值,但瞬态感应电流可能损坏CMOS电子元器件,过压保护是必须的。

方案1在电源供电引脚串联二极管,以防止寄生晶体管导通

注意事项:9SD电压 > 电源电压CR1 +/CR2反向偏置基极驱动电路不能使晶体管导通;每一个CMOS管电子元器件有对应二极管保护,有但也有失效时;

方案2:在开关一端连接到一个负电位充电电容+另一端电压超过VDD

 

电路保护方案电路图如下:

场效应管CMOS管静电及过压注意事项及解决方案

 

Q2一个发射极雪崩二极管可让基极驱动Q2导通,但必须要有与电容限流电源或者电阻

S端或D端有瞬时过压,电压源供电端口处串联电阻值300400Ω如上图b

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