场效应管MOS管高端驱动 MOS管相对于负载在电势高端，D极连接电源+S极通过负载接地； NMOS管：Vgs > 开启电压，导通； 不能导通：S极电位无法确定，Vgs > 开启电压，DS导通，电位: D极= S极，同为电源电位时：如：G极电位 > 电源电位，否则导通不能持续。

MOS管通过加在输入端栅极电压来控制输出端漏极电流。 MOS管是电压控制的电子元器件，即用电压控制G脚实现对管子电流控制，如：增强型N沟通MOS管，可用电压控制G脚电压，此电压值必须上升到10V方可；一个控制电压比较器同相输入端和一个参考电压比较器反相输入端，同时进入电压比较器，比较器电法接正12V和地，比较器输出经过5.1K电阻上拉后接G脚，如果控制电压比参考电压高，则控制MOS管导通输出电流。

600V CoolMOS™ P7超结MOSFET是600V CoolMOS™的后继产品P6系列。它继续在设计过程中平衡对高效性和易用性的需求。同类最佳的RonxA和CoolMOS™ 固有的低栅电荷（QG）第七代平台保证了其高效率。英飞凌场效应管MOS管IPA60R280P7S特征概要 1.600V P7支持出色的FOM RDS（on）xEoss和RDS（on）xQG 2.静电放电强度≥2kV（HBM 2级） 3.集成栅电阻RG 4.坚固的体二极管 5.在通孔和表面安装包中有广泛的产品组合 6.提供标准级和工业级零件

1.漏源电压VDS选择 MOS管实际工作环境最大峰值漏源极间电压 ≤ 规格书所标漏源击穿电压的 90% 公式：VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS PS：V(BR)DSS 正温度系数，取设备最低工作温度下的值； 2.漏极电流选择 MOS管实际工作环境最大周期漏极电流 ≤ 规格书最大漏源电流的90%; 表达式：ID_max ≤ 90% * ID 漏极脉冲电流峰值 ≤ 规格书漏极脉冲电流峰值的90%； 表达式：ID_pulse ≤ 90% * IDP

600V CoolMOS™P7超结MOSFET是600V CoolMOS™的后继产品P6系列。它继续在设计过程中平衡对高效性和易用性的需求。同类最佳的RonxA和CoolMOS固有的低栅电荷（QG）™第七代平台保证了其高效率。 英飞凌场效应管mos管IPA60R360P7S功能特征概要 效率:600V P7支持出色的FOM RDS（on）xEoss和RDS（on）xQG 易用性 1.静电放电强度≥2kV（HBM 2级） 2.集成栅电阻RG 3.坚固的体二极管 4.在通孔和表面安装包中有广泛的产品组合 5.提供标准级和工业级零件

t0-t1： 栅极电流对Cgs，Cgd充电，Vgs升高—开启电压Vgs(th)，MOS管并没开启，无电流通过，即MOS管为截止区; Vd电压 > Vg   电容 Cgd 正在上面，负在下面；t1-t2： Vgs=Vth，MOS管开启—满载电流值Io 达到Vth后，MOS管开始逐渐开启→满载电流值Io； 此时：电流Ids，Ids与Vgs呈线性关系，MOS管可变电阻区或线性区；

800V CoolMOS™ CE是英飞凌的高性能设备系列，提供800V的故障电压。CE的目标是消费电子应用和照明。新的800V选择系列专门针对LED应用。有了这个特殊的CoolMOS™ 家族，英飞凌结合了作为领先的超结MOSFET供应商的长期经验和一流的创新。 英飞凌场效应管MOS管IPA80R460CE特征概要 1.低比导通电阻（Rds（开）*A） 2.400V时输出电容（E oss）储能非常低 3.低栅电荷（Q g） 4.经现场验证的CoolMOS™ 质量 5.CoolMOS公司™ 自1998年以来，英飞凌一直在生产技术

场效应管MOS管工作原理 以增强型 MOS 管 PN结2个背靠背，利用电场在栅极形成载流子沟道来连接D与S间； 启动电压不足： N区—衬底P间载流子自然复合形成中性耗尽区，栅极得正向电压，P区少子在电场作用下聚集到栅极氧化硅下，形成电子多子区域，即称之为反型层(在P型衬底区形成N型沟道区)，此时D—S导通。

120V OptiMOS™家庭同时提供行业最低的状态电阻和最快的开关行为，允许在广泛的应用中实现卓越的性能。120V OptiMOS™ 技术为优化解决方案提供了新的可能性。 英飞凌MOS管场效应管BSC077N12NS3G功能特征概要 1.卓越的开关性能 2.世界最低研发水平（on） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的栅电荷x R DS（on）产品（FOM） 5.符合RoHS标准的无卤素 6.MSL1等级2 优势 1.环保 2.提高效率 3.最高功率密度 4.需要较少的并联 5.最小的板空间消耗 6.易于设计的产品

MOS管类别及电路  内部：二极管，也被称之体二极管，或寄生二极管，续流二极管 此体二极管的作用 1.防止 VDD 过压下，MOS 管烧坏 ； 2.防止 MOS 管源极,漏极反接时，烧坏 MOS 管； 3.在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿 MOS 管； 关于寄生二极管的作用，有两种解释：     MOS管优势 1.输入阻抗高； 2.开关速度快； 3.热稳定性好； 4.电压控制电流； MOS管作用：电子开关 + 放大器; IGBT是什么？ IGBT 英文全称：Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管； IGBT=由晶体三极管 + MOS 管 组成，  是复合型半导体电子元器件； IGBT优势： 1.输入阻抗高； 2.电压控制功耗低； 3.控制电路简单； 4.耐高压； 5.承受电流大； 6.导通电阻小；