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- 绝缘栅型场效应管分类及三个极-场效应管知识-竟业电子
- 什么是绝缘栅型场效应管
全称：Insulated Gate Field Effect Transister，IGFET，也称金属氧化物半导体场效应管，Metal Oxide Semiconductor FET，简称MOSFET即MOS管。
绝缘栅型场效应管分类
类型：P沟道MOS+N沟道MOS+VMOS;
VMOS即功率场效应管，V型槽MOS场效应管，英文全称V-groove metal-oxide semiconductor；
绝缘栅型场效应管结构
一块P型硅衬底上，扩散两个高浓度掺杂的N+区，在两N+区间硅表面上制作一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，在SiO2和两个N型区表面上引出三个电极：源极s+栅极g+漏极d；
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- 如何区别N沟道MOS管和P沟道MOS管-MOS管知识-竟业电子
- 如何判断N沟道MOS管和P沟道MOS管
用万用表黑笔（或红笔）接一电极，另一笔依次接另两极，
电阻值相近或相等，则黑笔（或红笔）一端为栅极，另两端则：漏极和源极；
1.电阻值两次测得都很大，则PN结反向，即反向电阻，可判定是：N沟道MOS管，黑笔接是栅极；
2.电阻值两次测得都很小，则正向PN结，即正向电阻，可判定是：P沟道场MOS管，黑笔接是栅极;
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- 触摸灯电路分析-MOS管与三极管功能比较-MOS管-竟业电子
- MOS管
1.用手同时触摸MOS管G极和电源正极：
效果：LED灯发光，手松开灯继续亮；
原理：G极电位升高，D极与S极间形成导电沟道，沟道=导线，即线路导通；
导通D极与S极间压降万用表测量：压降=0 V
2.用手同时触摸G极与电源负极：
LED灯熄灭；
原理：沟道夹断，与导通相反；
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- 英飞凌MOS管场效应管SPA20N60C3参数应用及Datasheet-场效应管-竟业电子
- 更换600V CoolMOS™ C3是CoolMOS™ P7
600伏CoolMOS™ C3是英飞凌的第三个CoolMOS系列™ 2001年进入市场。C3是投资组合的“主力军”。
英飞凌MOS管场效应管SPA20N60C3功能概述
1.低比导通状态电阻（RDS（on）*A）
2.400V时输出电容（Eoss）的储能非常低
3.低栅电荷（Qg）
4.现场验证的CoolMOS™ 质量
5.CoolMOS公司™ 英飞凌自1998年开始制造这项技术
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- 为何在电源电路设计中MOS管G极串联电阻-MOS管-竟业电子
- 在电源电路设计中，MOS管G极会串联一个小电阻，如下图标红所示G极串联电阻R13；
R13作用：限制G极电流+抑制振荡。MOS管是电压驱动，G级电流很小，由于有寄生电容，MOS管开或关时，对电容进行充电，瞬间电流大。如MOS管FDS2582 Ciss=1290pF
若：Vgs=10V dt=Tr(上升时间)=20ns
G极开关时瞬间电流 I=Ciss*dVgs/dt =0.6A
G极串联一个电阻:
与Ciss形成RC充放电电路，减小瞬间电流值，以保证MOS管驱动芯片不会被损坏。
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- 什么是晶体管与场效应管比较优劣-场效应管-竟业电子
- 晶体管与场效应管优劣
1.只允许从信号源取较少电流时，选择场效应管;
2.信号电压较低+允许从信号源取较多电流时，选择晶体管；
3.场效应管：是单极型器件，利用多数载流子导电；
4.晶体管：是双极型器件，有多数载流子+也利用少数载流子导电；
5.场效应管灵活性 > 晶体管灵活性：场效应管源极与漏极可互换，栅压可正可负；
6.场效应管：在很小电流和很低电压时工作，制造工艺可多个集成在一块硅片上；
7.场效应管：高输入阻抗+低噪声，可应用：
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- 用测电阻法测场效应管MOS管好坏-场效应管MOS管引脚顺序-竟业电子
- 测电阻法测场效应管MOS管好坏
用万用表置于R×10或R×100档，测S-D间电阻:
电阻值 > 正常电阻值（一般几十欧到几千欧范围），可能内部接触不良;
测得电阻值无穷大：可能内部断极；
用万用表置于R×10k档，测栅极G1-G2间，栅极-源极，栅极-漏极它们间电阻值：
此电阻值均为无穷大，则MOS管正常；
此电阻值小或通路，则MOS管已坏；
注：如两栅极在管内断极，可用其它电子元器件代替测试；
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- 场效应管MOS管分类-场效应管MOS管区别-竟业电子
- 场效应管MOS管区别
场效应管分：结型场效应管JFET + 绝缘栅场效应管MOS管
即MOS管是场效应管其中一种小分类；
结型场效应管（JFET）
JFET全称：Junction Field-Effect Transistor
分类：N沟道结型场效应管 + P沟道结型场效应管
三极：栅极+漏极+源极
电路符号：栅极箭头方向，即为两个PN结正向导电方向
工作原理：通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流控制
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- 英飞凌infinneon IPD60R180P7S 功能参数应用及Datasheet-英飞凌-竟业电子
- 结合高能效和易用性的优化超结mosfet
600V CoolMOS™ P7超结MOSFET是600V CoolMOS™的后继产品 P6系列。它继续在设计过程中平衡对高效性和易用性的需求。最佳的R onxA和CoolMOS™固有的低栅电荷（Q G） 第七代平台保证了其高效率。
英飞凌infinneon IPD60R180P7S 功能特征概要
1.600V P7支持出色的FOM R DS（on）xE oss和R DS（on）xQ G
2.静电放电强度≥2kV（HBM 2级）
3.集成栅极电阻器
4.坚固的体二极管
5.在通孔和表面安装包中有广泛的产品组合
6.提供标准级和工业级零件
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