什么是绝缘栅型场效应管

全称：Insulated Gate Field Effect Transister，IGFET，也称金属氧化物半导体场效应管，Metal Oxide Semiconductor FET，简称MOSFET即MOS管。

 

绝缘栅型场效应管分类

类型：P沟道MOS+N沟道MOS+VMOS;

VMOS即功率场效应管，V型槽MOS场效应管，英文全称V-groove metal-oxide semiconductor；

 

绝缘栅型场效应管结构

一块P型硅衬底上，扩散两个高浓度掺杂的N+区，在两N+区间硅表面上制作一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，在SiO2和两个N型区表面上引出三个电极：源极s+栅极g+漏极d；

 

结构与符号如下图所示：

 

 

绝缘栅型场效应管增强型与耗尽型如下图所示：

绝缘栅型场效应管三极是绝缘的，所以它的输入电阻可高达1 X 10  12Ω或以上，但输入 电流几乎为零。