一、测电阻法测场效应管MOS管好坏

用万用表置于R×10或R×100档，测S-D间电阻:

电阻值 > 正常电阻值（一般几十欧到几千欧范围），可能内部接触不良;

测得电阻值无穷大：可能内部断极；

 

用万用表置于R×10k档，测栅极G1-G2间，栅极-源极，栅极-漏极它们间电阻值：

此电阻值均为无穷大，则MOS管正常；

此电阻值小或通路，则MOS管已坏；

注：如两栅极在管内断极，可用其它电子元器件代替测试；

 

二、感应信号输入法测场效应管MOS管放大能力：

万用表电阻的R×100档，红笔接S，黑笔接D，在MOS管上加1.5V电源电源，

表针指示出漏源极间电阻值，用手捏住MOS管G，将人体的感应电压信号加到栅极上，

MOS管放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，此时表针摆动，

手捏栅极时：

表针摆动较小，放大能力较差；

表针摆动较大，放大能力较强；

表针不动，测MOS管已坏；

 

三、测电阻法测场效应管MOS管电极：

万用表拨在R×1k档上，选两个电极，测其正、反向电阻值，此电极的正、反向电阻值相等且为几千欧姆时，则电极为漏极D和源极S，因漏极和源极可互换，第三端为栅极G。

 

四、测反向电阻值变化判断跨导大小:

如：VMOS管N沟道增强型场效应管的跨导性能，用红笔接源极S，黑笔漏极D，相当于在源、漏极之间加了一个反向电压，栅极开路，MOS管反向电阻值不稳，万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，表内电压较高，手接触栅极G，MOS管反向电阻值有变化，

变化越大：跨导值越大;

变化不大：跨导很小；

 

五、测电阻法测无标志场效应管MOS管:

先测MOS管源极S和漏极D，其它两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。

用两笔测的源极S与漏极D间的电阻值并记来，对调表笔再测量一次，记下电阻值，

两次中测得阻值最大，黑笔接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。

 

用放大能力验证:

放大能力大黑笔所接D极，红笔接S极，按D、S的对应位置装入电路，G1、G2依次对准位置，并确定D、S、G1、G2管引脚顺序。