场效应管栅极固定基准电压，由分压电阻及稳压管提供；基于场效应管恒流源电路原理电流经过采样电阻转换为采样电压，采样电压经运放A2反向放大，作反馈电压VF送入运放A1同相端，与基准电压VR进行对比，栅极电压调整，对输出电流调整，让整个闭环反馈系统处于动态平衡中，达到稳定输出电流； 若：输出电流增大，采样电阻的电压即增大，反馈电压VF增大，运放A1同相端电压增大， 基准电压不变； 运放A1输出电压=（VF-VR）K K即运放A1开环增益 运放A1输出电压降低，栅极电压下降，输出电流下降，稳定输出电流；

大规模集成电路中应用MOS管，即MOS场效应管，它的基本功能是：开关+放大+恒流+阻抗变换+可变电阻； 与三极管相比 优势 1.输入电阻很高； 2.对信号源几乎不取电流，有利于输入信号稳定，输入级放大理想电子无器件； 3.噪声低 4.温度稳定性好 缺点 因电压控制电流的电子元器件，栅源间电压控制漏极电流，放大系数低频跨导小，放大能力差； 场效应管功能：开关 因场效应管是多子导电，不像三极管会因基极电流引起电荷储存效应，因此开关的速度很快，并且可作高频大电流应用； 场效应管开关可在小电压及电流下工作，因此更容易集成在硅片上，经常应用于在大规模集成电路中；

场效应管  全称Field Effect Transistor 简称FET 分类：结型场效应管JFET + 金属 - 氧化物半导体场效应管MOSFET 因多数载流子参与导电，即单极型晶体管； 电压控制型半导体电子元器件 功能 放大+作阻抗变换+作可变电阻+作恒流源+电子开关 优势 1.输入电阻高107～1015Ω 2.噪声小 3.功耗低 4.动态范围大 5.易于集成 6.无二次击穿现象 7.安全工作区域宽 晶体管 全称transistor 分类：二极管+三极管+场效应管+晶闸管 固体半导体电子元器件 功能：检波+整流+放大+开关+稳压+信号调制 可变电流开关，可基于输入电压控制输出电流 晶体管利用电信号控制自身的开合 开关速度非常快 实验室切换速度可达100GHz或以上

英飞凌mos场效应管IPP023N10N5功能概述 1.优化同步整流 2.适用于高开关频率 3.输出电容减少高达44% 4.研发（开）比上一代减少43% 优势 1.最高的系统效率 2.降低开关和传导损耗 3.不需要并联 4.功率密度增加 5.低电压过冲 应用 1.电信 2.服务器 3.太阳能 4.低压驱动器 5.轻型电动汽车 6.适配器

MOS场效应管设计电路中，给MOS管加散热片是最基本的要求，但是在这个过程中，可能出现EMC通过，散热片要接地，若散热片不接地，EMC不能通过； 那么传导可将开关辐射通过散热器传导到大地回路，减弱了走传输线，让流通路径更多, 辐射，没接地散热器，会让其成为辐射发射源，对于EMC更不好，若同时接地，能起到一定的屏蔽效果； 在布板，将大电解电容作屏蔽用，IC放在大电解电容下面防止干扰；

高频功率管即工作频率高的功率管； HF/VHF 功率MOS 晶体管BLF117，耗散功率200W，工作频率可高达100MHz. 功率MOS管 金属－氧化物-半导体场效应晶体管，是场效应晶体管即场效应管的其中一种，场效应管还包括：MISFET+MESFET+JFET； 功率MOS管是功率集成电子元器件，用垂直结构如：VMOS，VVMOS，VUMOS、SIPMOS，内含数百乃至上万个相互并联的MOSFET单元，提高集成度和耐压性。 功率MOS管属于电压型控制电子元器件，靠多数载流子工作；

绝缘栅双极晶体管即IGBT，事实上是一个场效应晶体管， IGBT=双极型三极管BJT+和绝缘栅型场效应管(MOS) 是复合全控型电压驱动式功率半导体器件 IGBT全称InsulatedGateBipolarTransistor 优势： 集功率MOS管高速性能与双极性器件低电阻于一体； 1.输入阻抗高； 2.电压控制功耗低； 3.控制电路简单； 4.耐高压； 5.承受电流大等特性； IGBT结构 区别在于：漏极与漏区间多了P型层； 它的命名规则也遵循场效应晶体管命名； N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构图如下所示： N+区=源区 附于其上电极=源极 N+区=漏区 电子元器件控制区=栅区 附于其上的电极=栅极 沟道紧靠栅区边界形成 漏源间P型区(包括P+和P一区)=亚沟道区(Subchannelregion)

什么是CMOS图像传感器 是一种固体成像传感器 组成：列驱动器+时序控制逻辑+AD转换器+敏单元阵列+行驱动器+数据总线输出接口+控制接口 工作过程：为复位→光电转换→积分→读出 CMOS图像传感器芯片可集成数字信号处理电路 例如：白平衡处理+黑电平控制+伽玛校正+AD转换器+自动曝光量控制+非均匀补偿 可编程功能DSP器+CMOS器件集成单片数字相机及图像处理系统； CMOS直接检测每个感光单元下的电荷 可理解为：电荷电压转换电路集成到了每个MOS 电容上 CMOS传感器优势 1.成本低 2.功率要求低

宽频带大功率脉冲放大器模块设计要求如下： 1.工作频段 > 4个倍频程，输出功率大，对谐波和杂波抑制力高； 2.谐波是在工作频带内，放大器模块线性度高； 应以上要求： 1.射频功率放大器放大链采用三级场效应管，全部选用增强型MOS场效应管。 2.每级放大用AB类功率放大模式，用推挽式，确保功率放大器模块可宽带工作； 3.用传输线宽带匹配技术和反馈电路，以展宽频带和输出大功率；

MOS场效应管继电器是在输出元件中应用了功率MOSFET的SSR。 功率MOSFET动作光电二极管阵列作为受光电子元器件应用。 动作原理 输入端子有电流流过， LED发光，此光让光电二极管阵列中发生光电流， 栅极电压让功率MOSFET处于ON状态。 2个功率MOS FET用源共通连接，并控制AC负载。 DC专用类型中有带1个电源 MOS FET类型。 信号用MOS场效应管继电器G3VM，不含变阻器。